SBC847CDW1T1G
SBC847CDW1T1G参数
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
SBC847CDW1T1G手册
SBC847CDW1T1G概述
SBC847CDW1T1G 产品概述
一、产品简介
SBC847CDW1T1G 是一款高性能的 NPN 晶体管，属于双极型晶体管（BJT）系列。这种器件能够在现代电子设备中提供高效及可靠的电子开关和放大应用。由安森美（ON Semiconductor）生产，SBC847CDW1T1G 在多种应用场景中表现出色，具有出色的电流增益和耐受性，适用于各种严苛的工作环境。
二、主要特征
晶体管类型: SBC847CDW1T1G 是一款 NPN 型双极型晶体管，适用于电流放大和电子开关等标准应用。
最大集电极电流 (Ic): 该器件的最高允许集电极电流可达 100mA，使其能够满足各种低至中等功率的应用需求。
最大集射极击穿电压: SBC847CDW1T1G 的击穿电压为 45V，能够在较高的电压环境中稳定工作，确保了器件的安全性和可靠性。
饱和压降: 在 5mA 和 100mA 集电极电流下，其 Vce 饱和压降最大为 600mV，能够有效减少功耗，提高电路的整体效率。
截止电流: 该器件的集电极截止电流最大为 15nA，表现出极佳的电流泄漏特性，提高了系统的能效。
DC电流增益 (hFE): 在 2mA 的基极电流下，器件的 DC 电流增益最小可达 420，适合用于需要高增益的项目中。
功率消耗: SBC847CDW1T1G 提供高达 380mW 的最大功率能力，适用于多种中等功率的应用场景。
频率响应: 器件具有高达 100MHz 的跃迁频率，适合用于高频应用，如射频放大器和开关电源。
工作温度范围: 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，能够满足各种严苛的环境要求。
封装: SBC847CDW1T1G 采用 6-TSSOP 封装，兼容 SC-88 和 SOT-363，这是一种小型化的表面贴装型封装，有利于节省电路板空间，且方便实现自动化焊接。
三、应用领域
SBC847CDW1T1G 作为一款多功能的 NPN 晶体管，具有广泛的应用场合，包括但不限于：
- 信号放大: 由于其高 DC 电流增益，SBC847CDW1T1G 常用于模拟信号的放大。
- 开关应用: 其快速的开关速度和较小的饱和压降使其非常适合用作开关元件，广泛应用于开/关控制电路。
- 射频应用: 凭借高频响应能力，适用于射频放大器或调制解调器中的信号处理。
- 电源管理: 可用于开关电源及其他电源管理应用，增加整体能效。
四、总结
SBC847CDW1T1G 是一款非常理想的 NPN 晶体管，凭借其出色的电气特性和广泛的工作环境适应能力，成为现代电子产品设计中不可或缺的元件。无论是在消费者电子、工业控制还是汽车电子领域，这款晶体管都显示出其卓越的性能。
选择 SBC847CDW1T1G，您不仅获得了一款高效、可靠的电子元件，还获得了一份可靠的电子设计解决方案，确保您的产品在复杂的环境中优雅稳定地运行。