功率(Pd) | 31.6W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.9pF@480V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 540mΩ@10V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 700V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 590pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
NCE70T540F 是一款由新洁能(NCE)公司推出的高性能功率MOSFET(场效应晶体管),其设计主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等多种应用场景。TO-220F 封装使得该器件易于散热和安装,适合用于需要高功率处理的电路。
NCE70T540F MOSFET 的设计考虑了高效能和高可靠性,其主要特点如下:
NCE70T540F MOSFET 广泛应用于以下领域:
得益于其 TO-220F 封装设计,NCE70T540F 提供了良好的热管理能力。在电流负载较高的应用中,为确保器件的可靠运行,设计时需充分考虑散热环境并使用合适的散热器,避免由于过热导致性能下降或损坏。
作为一款优质的功率MOSFET,NCE70T540F 凭借其卓越的电气性能和扩展应用潜力,成为市场上值得信赖的选择。无论是在电源设计、逆变器、还是其他高功率需求的应用中,它都能表现出色。选择 NCE70T540F,意味着选择高效能和高可靠性的电子元器件,助力于各种电子产品的创新与发展。