晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTA114EU3HZGT106是一款高性能的PNP型预偏置数字晶体管,品牌为ROHM(罗姆),广泛应用于各种电子产品的开关和放大电路中。该器件采用SOT-323封装(也称UMT3封装),是一种表面贴装型的器件,适合于空间受限的电子设计,尤其在移动设备、便携式电子产品和高密度电路板中表现尤为突出。
高集电极电流能力: DTA114EU3HZGT106能够支持最大集电极电流(Ic)为100mA,这使得其能够满足较大负载的开关需求,适用于驱动小型电机、继电器和其他负载。
适中的击穿电压: 该晶体管的集射极击穿电压(Vce(max))为50V,这一性能指标适合于多种低至中压应用,提升了系统的设计灵活性。
卓越的电流增益: 在5mA的集电极电流和5V的情况下,DTA114EU3HZGT106的直流电流增益(hFE)最小值为30,确保了在小基极电流下可获得足够大的集电极电流,从而实现高效的开关功能。
低饱和压降: 在500µA的基极电流和10mA的集电极电流下,DTA114EU3HZGT106的Vce饱和压降最大为300mV,这意味着它在工作时可以有效降低功耗,提高能效。
极低的截止电流: 该器件的集电极截止电流最大为500nA,显著提高了电路在关断状态下的稳定性和可靠性,特别适合用于低功耗应用中。
宽频率特性: DTA114EU3HZGT106的频率响应可达250MHz,支持高速开关应用,适合于数字电路中的信号放大与开关操作。
封装及安装: 其SOT-323封装使得器件体积小巧,非常适合现代电子设备的紧凑设计。表面贴装的安装方式进一步简化了生产过程,降低了制造成本,提升了产品一致性。
功率处理能力: DTA114EU3HZGT106的最大功耗为200mW,能够满足多数通用电子应用的要求,配合适当的散热措施,可以有效提高整体系统的稳定性。
DTA114EU3HZGT106的设计适用于多种场合,包括但不限于:
总体而言,DTA114EU3HZGT106凭借其优异的电气性能、灵活的应用范围以及小巧的封装形式,成为设计工程师在进行电子产品设计时的重要选择。其在高效驱动与信号处理方面的卓越表现,将为用户带来良好的使用体验,符合现代电子设计的趋势与需求。无论是在商业应用还是工业控制中,这款预偏置PNP数字晶体管都展现出强大的潜力和广泛的适应性。