晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC114EU3HZGT106 是一款高性能 NPN 预偏压数字晶体管,专为高效能、小型化电子设备设计。它采用了紧凑的 SOT-323 封装,适用于表面贴装的应用,以满足现代电子设备对空间和性能的双重需求。该晶体管的主要特性包括高达 100mA 的集电极电流、50V 的集射极击穿电压及高达 250MHz 的频率跃迁,成为广泛应用于通信、消费电子及其他多个领域的理想解决方案。
晶体管类型:DTC114EU3HZGT106 为 NPN 类型的晶体管,采用预偏压设计。这种结构使得元件在驱动和控制电路中更为高效,尤其是在数字电路中。
电流与电压特性:
增益特性:
频率性能:频率跃迁达到 250MHz,使得 DTC114EU3HZGT106 特别适合高频应用,比如 RF 应用和高速开关电路。
功率规格:该器件具有 200mW 的最大功率处理能力,满足了多种应用场合的需求,并确保在较高工作条件下器件的可靠性。
电阻器配置:基极和发射极分别具有10 kOhms的电阻,使器件在切换时具有较好的稳定性和响应速度。
DTC114EU3HZGT106 的高频性能和优异的电气特性使其在以下领域有广泛的应用:
DTC114EU3HZGT106 采用 UMT3 封装,尺寸小、重量轻,适合自动化贴装工艺。这种封装形式使得元件能够在空间有限的电路板上被集成,符合现代电子设备对高集成度的要求。
DTC114EU3HZGT106 是一款兼具高性能与小型化设计的数字晶体管,其优异的电流电压特性、频率响应及低功耗显示出其在多种应用场合中的潜力。凭借 ROHM(罗姆) 的品牌保障和产品质量,该器件无疑为广大工程师和开发人员提供了可靠的解决方案,助力其在高效能电子产品设计中创造更多可能。