注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF6645TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
MG-WDSON-5
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.2W；42W 100V 5.7A；25A 1个N沟道 DirectFET
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.27按整 :
圆盘(1圆盘有4800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.27
--
100+
￥6.06
--
1200+
￥5.6
--
2400+
￥5.34
--
28800+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF6645TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta），25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.2W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SJ |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SJ |
IRF6645TRPBF手册
无数据
IRF6645TRPBF概述
产品概述：IRF6645TRPBF
一、基本信息
IRF6645TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名半导体制造商 Infineon（英飞凌）研发与生产。该器件设计用于满足高电压和大电流应用需求，适合广泛的电源管理和开关应用场合。
二、关键参数
- 工作电压：IRF6645TRPBF 的漏源电压 (Vdss) 达到 100V，使得该器件能够在高电压环境中可靠运行。
- 电流承载能力：该 MOSFET 在环境温度（Ta）为 25°C 时的连续漏极电流 (Id) 为 5.7A，而在冷却条件下（Tc）可达 25A。这一特性使得 IRF6645TRPBF 非常适合需要较高电流的应用场合，例如电源转换器和电机驱动器。
- 导通电阻：在 10V 的驱动电压下，IRF6645TRPBF 的最大导通电阻 (Rds On) 为 35 毫欧（@5.7A）。低导通电阻确保了较低的功率损失，提高系统的能效。
- 开关性能：该器件的栅极电荷 (Qg) 在 10V 驱动下最大值为 20nC，这意味着 IRF6645TRPBF 在高频率切换时的驱动需求相对较小，能够提高转换效率。
- 漏极阈值电压 (Vgs(th))：该器件的阈值电压最大值为 4.9V（@50µA），表明其在较低驱动电压下也能够高效开启。
- 功率耗散：在常规环境下，该器件的最大功率耗散为 2.2W，而在特定冷却情况下可达 42W，使其在高功率输出中保持良好表现。
- 工作温度范围：IRF6645TRPBF 能够在 -40°C 到 150°C 的工作温度范围内稳定运行，这一特性使其适合于各种严苛环境下的应用。
三、封装与安装
IRF6645TRPBF 采用 DirectFET™ SJ 封装，具有紧凑的尺寸和良好的热管理特性。表面贴装类型的设计使得该器件易于在现代电子电路板上进行生产和集成，适合各种高密度应用。
四、应用场景
IRF6645TRPBF 的特性使其在多个领域具备广泛的应用可能：
- 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、POE（以太网供电）设备以及电池管理系统。
- 电机驱动：在电机控制中，尤其是在步进电机和 brushless 电机驱动电路中使用。
- 开关电源：可用于高效的开关电源解决方案，有助于提高电源的整体效率。
- 高频感应加热：在感应加热设备中应用，能够实现快速开关操作。
五、总结
总的来说，IRF6645TRPBF 是一款性能强大且特性丰富的 N 通道 MOSFET，凭借其优良的电气参数、高耐压、高电流承受能力和高工作温度范围，成为现代电源管理和开关应用中的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，IRF6645TRPBF 都将为设计工程师提供出色的解决方案，帮助他们开发出更加高效和可靠的电子产品。