GRM1555C1H3R3BA01D
GRM1555C1H3R3BA01D参数
| 电容 | 3.3pF | 容差 | ±0.1pF |
| 电压 - 额定 | 50V | 温度系数 | C0G，NP0 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C | 应用 | 通用 |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC | 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） | 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
GRM1555C1H3R3BA01D手册
GRM1555C1H3R3BA01D概述
GRM1555C1H3R3BA01D 产品概述
产品名称: GRM1555C1H3R3BA01D
品牌: muRata（村田）
类型: 贴片电容（MLCC，Multi-Layer Ceramic Capacitor）
封装: 0402
一、产品基本规格
GRM1555C1H3R3BA01D 是一款高品质的多层陶瓷电容，具有3.3皮法（pF）的电容值，额定电压为50V。其容差为±0.1pF，确保在电路中的稳定性和性能。该器件的温度系数为C0G（NP0），是专为需要高精度和高稳定性的应用而设计的。
二、应用领域
该电容器适用于多个应用领域，包括：
射频（RF）电路：由于其低电容值和高额定电压，GRM1555C1H3R3BA01D 非常适合Broadband RF应用，这使得它能够在高频下稳定工作，减少信号干扰。
信号处理：在数据采集和信号处理电路中，低电容值的电容器可用于滤波和耦合，以维持信号完整性。
精密电路：由于其优越的温度稳定性，该电容器特别适合用于温度敏感的精准电路，如高端音频设备、测量仪器等。
高频设备：在无线通信和计算机设备中，能够在高频下工作的能力使其成为首选元件之一。
三、技术特性
温度工作范围: -55°C 至 125°C，这种宽广的温度范围使得该产品在极端环境下依然能够稳定工作。
容差小: ±0.1pF的容差使得该电容器在电路设计中能够带来高度的可重复性和精确度，尤其在对电容量要求极为严格的应用中显得尤为重要。
体积小巧: 封装大小为0402（1005公制），尺寸为1.00mm x 0.50mm，厚度最大为0.55mm，适合高密度的电路板设计，使得其在空间有限的情况下也能发挥作用。
四、电气性能
GRM1555C1H3R3BA01D 与传统电容器（如电解电容或铁氧体电容）相比，具有更高的电压承受能力和更低的漏电流，适合在更高频率和更高电压环境下使用。这种性能使得它在现代电子设备中具备不可或缺的地位。
五、安装类型与兼容性
此电容器为表面贴装（SMD/SMT），易于在自动化生产中快速装配，降低了生产成本和工艺复杂度。同时，其0402的封装也与各种主流电路板设计兼容，能够满足不同厂商对电路板设计标准化的要求。
六、总结
总体而言，GRM1555C1H3R3BA01D 作为 muRata 提供的一款高性能多层陶瓷电容，凭借其小巧的体积、卓越的稳定性及广泛的应用领域，使其成为电子设计师在多种高端电子产品中的首选。无论是用于高频射频电路，还是在精密信号处理的应用场景中，该电容器都能有效促进设备性能的提升，确保电路的长时间可靠运行。