类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 5.3V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 7V(标准) | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 16A |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
不同频率时电容 | 0.36pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-923 |
供应商器件封装 | SOD-923 |
SZESD9101P2T5G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的超低电容静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线设计。该产品在工业和汽车级应用中具有出色的表现,能够有效保护敏感元件免受静电放电引起的损害。
超低电容设计: SZESD9101P2T5G 的电容值在1MHz频率下仅为0.36pF,这使得其在应用于高速数据传输线路时,能够有效降低信号失真,并提升整体系统性能。这种低电容特性对于现代高速通信接口(如USB、HDMI等)十分重要,有助于维持信号的完整性。
高击穿电压: 本二极管的反向击穿电压(V_b,即电压-击穿的最小值)为5.3V,最大反向断态电压为5V。这种特性使得SZESD9101P2T5G 能够承受一定的过压情况,同时防止正常工作电压下的漏电流。
优异的瞬态电流处理能力: 该元器件支持最大16A的峰值脉冲电流(在10/1000µs条件下),能够有效应对瞬态电流事件,为重要电子设备提供可靠的保护。此外,对于不同的瞬态输入电流(Ipp),SZESD9101P2T5G 能够压制电压至7V(最大),确保它不会对下游电路造成破坏。
宽工作温度范围: SZESD9101P2T5G 的工作温度范围从-55°C至150°C,适应各种恶劣环境。这种广泛的操作温度范围,使其成为汽车电子、电信设备以及工业设备等应用的理想选择。
表面贴装型封装设计: 该器件采用SOD-923封装,具有紧凑的尺寸,适用于高密度PCB布局,能够降低材料成本并提升生产效率。表面贴装设计也使其在自动化生产中更加顺畅。
汽车级应用: SZESD9101P2T5G 的设计符合汽车行业标准,适用于汽车通信和数据传输系统。这确保了器件能够在汽车的复杂电气环境中长时间稳定工作,减少因静电而导致的故障。
SZESD9101P2T5G 可广泛应用于以下领域:
SZESD9101P2T5G 是一款高性能、超低电容的ESD保护二极管,能有效保护高速数据传输线路免受静电放电的影响。其优越的电压处理能力、瞬态电流承受能力及广泛的工作温度范围,使其成为严苛应用场景下的理想解决方案。考虑到其在汽车电子和消费电子领域的广泛适用性,SZESD9101P2T5G 具备良好的市场前景,能够满足日益增长的用户需求。