SBC807-25LT1G 产品实物图片
SBC807-25LT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SBC807-25LT1G

商品编码: BM0094339591
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.015g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 45V 500mA PNP SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.57
--
200+
¥0.367
--
1500+
¥0.32
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SBC807-25LT1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)160 @ 100mA,1V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

SBC807-25LT1G手册

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SBC807-25LT1G概述

SBC807-25LT1G 产品概述

一、产品简介

SBC807-25LT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能PNP型晶体管。该器件采用表面贴装技术(SMD),封装形式为SOT-23-3 (TO-236),非常适合于空间受限的应用。凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,SBC807-25LT1G在诸多电子电路设计中表现出优异的性能和可靠性。

二、主要特点

  1. 晶体管类型:PNP型,适用于推荐的低侧开关和放大应用。
  2. 电流承载能力:能够承载最大集电极电流( Ic )为500mA,适用于中等功率的应用。
  3. 高耐压能力:集射极击穿电压(Vce)最大可达45V,能够适应较高电压的电路设计。
  4. 饱和压降:在50mA至500mA的不同条件下,最大Vce饱和压降为700mV,优化了功率损耗。
  5. 极低的集电极截止电流:最大集电极截止电流(ICBO)为100nA,显示出良好的关断特性,有助于节能设计。
  6. DC电流增益:在100mA和1V下,DC电流增益(hFE)最小值达到160,确保了器件在放大应用中的有效性和稳定性。
  7. 功率处理能力:最大功率为300mW,适合于多种中等功率的电子设计。
  8. 频率响应:具有100MHz的跃迁频率,允许在较高频率的开关应用中稳定工作。
  9. 工作温度范围:-55°C至150°C的宽广工作温度范围,适合在极端环境中运行,增加了应用的灵活性。

三、应用领域

SBC807-25LT1G适用于广泛的电子应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源(如高效的DC-DC转换器)。
  • 音频放大器电路。
  • 信号开关和开关矩阵。
  • 传感器应用中的信号放大和转换。
  • 消费电子产品(如手机、平板电脑)的电源管理和信号处理。
  • 工业和汽车电子设备。

四、封装与安装

SBC807-25LT1G采用SOT-23-3封装,体积小巧,便于表面贴装。这种封装形式的引脚布局设计简化了PCB布局,并改善了散热性能。使用表面贴装元件可以减少装配空间,提高生产效率,降低生产成本。

五、总结

SBC807-25LT1G是一款结合了高性能与实用性的PNP晶体管,适合多种中等功率和高频率的电子应用。无论是在商业、工业还是消费类电子产品中,其出色的电气特性以及宽工作温度范围都能满足设计工程师的需求。通过使用该晶体管,设计师可以实现可靠且高效的电路解决方案。选择SBC807-25LT1G,将为您的设计提供强大的性能支持与高度的环境适应能力。