晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
SBC807-25LT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能PNP型晶体管。该器件采用表面贴装技术(SMD),封装形式为SOT-23-3 (TO-236),非常适合于空间受限的应用。凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,SBC807-25LT1G在诸多电子电路设计中表现出优异的性能和可靠性。
SBC807-25LT1G适用于广泛的电子应用领域,包括但不限于:
SBC807-25LT1G采用SOT-23-3封装,体积小巧,便于表面贴装。这种封装形式的引脚布局设计简化了PCB布局,并改善了散热性能。使用表面贴装元件可以减少装配空间,提高生产效率,降低生产成本。
SBC807-25LT1G是一款结合了高性能与实用性的PNP晶体管,适合多种中等功率和高频率的电子应用。无论是在商业、工业还是消费类电子产品中,其出色的电气特性以及宽工作温度范围都能满足设计工程师的需求。通过使用该晶体管,设计师可以实现可靠且高效的电路解决方案。选择SBC807-25LT1G,将为您的设计提供强大的性能支持与高度的环境适应能力。