存储容量 | 2Mb (256K x 8) | 安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | FLASH - NOR | 写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
时钟频率 | 120MHz | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
GD25Q20CTIGR 是由北京兆易创新(Gigadevice)推出的一款高性能闪存(FLASH)存储器,主要应用于需要高速、非易失性存储的电子设备。该产品采用了 NOR FLASH 技术,以其可靠的存储特性和优良的性能,为各种应用提供了理想的解决方案。
GD25Q20CTIGR 拥有 2Mb 的存储容量,具体规格为 256K x 8,这意味着它可以存储 256K 个字节(以8位为单元)。这种设计使得该存储器适用于低到中等容量的应用,如用于存储微控制器的固件、配置数据或其他关键参数。
该产品采用了 SPI(Serial Peripheral Interface) - 四 I/O 的存储接口,支持高达 120MHz 的时钟频率。这种接口设计使得 GD25Q20CTIGR 在执行数据读写操作时能够实现快速响应,适合于对数据传输速率要求较高的应用场景。
GD25Q20CTIGR 的写周期时间在字写入时为 50μs,页写入时为 2.4ms。这种写入性能为设计人员提供了灵活性,能够满足对程序快速更新和实时数据写入的需求。同时,其自动擦除技术也极大地提高了存储器的效率。
该存储器的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C (TA),这使得 GD25Q20CTIGR 特别适合于在严格的工业环境或高温、低温的应用中运行,如工业自动化、汽车电子及智能家居等领域。其广泛的工作温度确保了在各种极端条件下,仍然能够保持稳定的性能。
GD25Q20CTIGR 的供电电压范围为 2.7V 至 3.6V,支持低电压操作,有助于在电源管理严格的应用中降低功耗。该特性对于嵌入式系统和电池供电设备尤为重要,因为它能够延长系统的整体使用寿命。
GD25Q20CTIGR 采用了 8-SOP(Small Outline Package)封装形式,表面贴装型设计使其更容易集成到现代电路板中,适应小型化和高密度集成的市场需求。SOP 封装具备良好的散热性能,能够提高器件的可靠性。
GD25Q20CTIGR 的特性使其在多种应用领域中大放异彩,包括但不限于:
GD25Q20CTIGR 是一款功能强大且灵活的闪存存储器,凭借其卓越的性能和可靠性,已成为高需求应用中的理想选择。随着对高效能、低功耗设备需求的不断增加,GD25Q20CTIGR 以其独特的技术优势和广泛的应用潜力,必将在未来的技术发展中扮演重要角色。