时钟频率 | 104MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | FLASH - NOR | 写周期时间 - 字,页 | 50µs,2.4ms |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | 存储容量 | 4Mb (512K x 8) |
GD25Q40CTIGR 产品概述
GD25Q40CTIGR 是北京兆易创新(GigaDevice)推出的一款高性能闪存存储解决方案,专为需要高速存储和读取能力的嵌入式系统设计。它使用先进的NOR闪存技术,具有相对于传统存储器更快速的读写速度,以及较高的耐用性与灵活性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通讯设备中。
基础参数与技术特性
GD25Q40CTIGR 的时钟频率高达104MHz,极大地提高了数据传输速率,适应快速数据处理需求。此型号采用四线SPI接口(串行外设接口),能够在多种工作条件下进行快速可靠的数据传输,为应用程序提供流畅的运行体验。
存储容量方面,GD25Q40CTIGR 提供了 4Mb(512K x 8)的存储空间,能够满足各种应用程序的多样化存储需求。其高效的存储架构使数据存储和读取变得更加高效,为复杂的计算任务提供了坚实的基础。
性能与可靠性
GD25Q40CTIGR 的写周期时间在字和页的情况下分别为50µs和2.4ms,这意味着在执行数据存储和更新操作时,该存储器能够在极短时间内完成任务。快速的写入速度使得其在需要频繁数据更新的应用中极具优势,比如配置文件的存储以及实时数据的处理。
此外,该产品的工作温度范围为-40°C至85°C,保证了在极端环境下的正常运作。无论是高温还是低温环境,其都能有效维护数据的完整性与稳定性,满足工业级应用的高可靠性需求。
电源需求与功耗
GD25Q40CTIGR 的供电电压范围为2.7V至3.6V,这使得其与许多微控制器和处理器兼容。该产品在设计上兼顾了低功耗要求,适合于需要长时间待机或低功耗操作的应用场合,如便携式设备与物联网终端。
安装与封装
该存储设备采用8-SOP封装形式,使其在设计和集成到PCB电路板时更加简单与便捷。表面贴装型的设计使得GD25Q40CTIGR能够在现代电子设备中有效节省空间,并提高组装效率。
应用场景与优势
GD25Q40CTIGR 的多种特性使其适用于各种应用场景,包括:
总结
总之,GD25Q40CTIGR 是一款功能强大的 NOR FLASH 存储器,凭借其高时钟频率、高速读写性能、广泛的工作温度范围以及适中的电源需求,广泛适用于各类电子应用。无论是在个人消费产品、工业设备、汽车电子还是通讯器材中,GD25Q40CTIGR 为用户提供了一个优质的存储解决方案,是现代嵌入式设计的理想选择。