IPP65R190C7FKSA1

产品概述：IPP65R190C7FKSA1

一、基本信息

IPP65R190C7FKSA1是一款高性能的N沟道MOSFET，具有650V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），采用PG-TO220-3封装。该MOSFET设计用于多种应用场合，包括但不限于开关电源、逆变器、LED驱动器和高频开关等。它能够在高温和高电压的工作条件下稳定运行，为用户提供可靠的解决方案。

二、技术规格

1. 漏源电压 (Vdss)：650V

   • 该参数表示MOSFET所能承受的最大泄漏电压，650V的额定电压使其适用于高电压环境，确保在电网、电源转换器等应用中具有较高的安全性和稳定性。

2. 连续漏极电流 (Id)：13A（在Tc条件下）

   • 该值指在限定的结温下，MOSFET能够持续承载的电流能力为13A，适合用于大电流的应用场景。

3. 导通电阻 (Rds On)：最大190毫欧 @ 5.7A, 10V

   • 低导通电阻有助于减小功耗，有效提高系统的能效表现，降低发热量，延长组件的使用寿命。

4. 栅极电压 (Vgs)：最大 ±20V

   • 该特性确保了MOSFET在高栅极驱动电压条件下依然能够稳定运行。

5. 栅极电荷 (Qg)：最大23nC @ 10V

   • 较小的栅极电荷使得开关速度快，能够提升系统在高频率下的响应能力。

6. 输入电容 (Ciss)：最大1150pF @ 400V

   • 输入电容是MOSFET在驱动信号作用下是否能快速开关的关键参数，较低的输入电容有效提高了速度和效率。

7. 功率耗散 (Pd)：最大72W（在Tc条件下）

   • 该功率耗散值意味着在适当的散热条件下，此MOSFET能够安全稳定地工作在较高的功率状态。

三、工作环境

1. 工作温度：-55°C ~ 150°C

   • 该范围使IPP65R190C7FKSA1适用于冷却需求较高或热负载较大的应用场景，如工业控制、汽车电子等。

2. 安装类型：通孔

   • TO-220封装设计便于于PCB的焊接，为工程师提供了更高的灵活性。

四、应用场景

IPP65R190C7FKSA1 MOSFET拥有较高的耐压能力和优异的导通性能，使其在多个应用领域表现出色：

• 开关电源：在电源转换过程中，作为主要的开关元件，提高能量转换效率，降低损耗。
• 逆变器：在可再生能源系统如太阳能逆变器中，具有良好的开关性能和低导通压降，确保逆变效率。
• LED驱动器：高频开关能力使其在LED照明系统中能够更好地调节输出功率。
• 电机控制：无论是在电动机驱动还是其他控制应用中，该MOSFET均展现了高可靠性与效率。

五、结论

综上所述，IPP65R190C7FKSA1 N沟道MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，成为电子设计中不可或缺的元件之一。英飞凌作为全球知名的半导体制造商，确保了该产品在性能和质量上的卓越表现，适合用于各种需要高效能和高可靠性的电子应用中。无论是工程师在设计电源还是开发驱动系统，IPP65R190C7FKSA1都将为您的项目提供强大的支持和帮助。