NSVBAS21HT1G 产品实物图片
NSVBAS21HT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSVBAS21HT1G

商品编码: BM0094336261
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-323
包装 : 
编带
重量 : 
0.027g
描述 : 
开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA SOD-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.772
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.772
--
200+
¥0.532
--
1500+
¥0.484
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSVBAS21HT1G参数

二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)250V
电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度反向恢复时间 (trr)50ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 200V不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-76,SOD-323
供应商器件封装SOD-323工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

NSVBAS21HT1G手册

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NSVBAS21HT1G概述

NSVBAS21HT1G 产品概述

产品简介

NSVBAS21HT1G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能标准开关二极管,具备出色的电气特性与可靠性,广泛应用于各种电子设备中的信号整流与开关电路。其设计主要满足小信号整流的需求,适合在严酷的环境条件下运行,具备良好的温度稳定性和反向特性。

主要参数

  1. 电压 - DC 反向 (Vr):该二极管的最大直流反向电压为 250V,适合在高电压环境中使用,提供了良好的电气绝缘与安全保护。
  2. 电流 - 平均整流 (Io):其平均整流电流为 200mA,能够满足大多数小型电流应用,确保在连续应用中表现稳定。
  3. 正向电压 (Vf):在最大负载电流 200mA 下,Vf 为 1.25V,表明在传输信号时会有较低的电压损失,优化了电能效率。
  4. 速度:该器件适合小信号应用,具有任意速度特性,使其在开关频率较高的环境下仍然具有良好的响应速度。
  5. 反向恢复时间 (trr):约 50ns 的反向恢复时间使其适合在快速开关应用中工作,能够满足高频操作需求。
  6. 反向泄漏电流:在各个反向电压状态下,反向泄漏电流低至 100nA @ 200V,标志着其在耐受高电压时依然能保持良好的性能,减少不必要的功耗。
  7. 工作温度范围:器件的工作结温范围为 -55°C 到 150°C,确保其在极端温度条件下依然能稳定工作,适合航空航天、汽车电子等应用场景。

封装与安装

NSVBAS21HT1G 使用 SOD-323 封装类型,具备表面贴装特点(SMT),使其在 PCB 板上的集成更加便捷,节省了空间同时也提高了组装效率。该封装适用于高密度电路设计,能有效支持现代电子产品对尺寸的严格要求。

应用领域

由于其卓越的电气特性,NSVBAS21HT1G 被广泛应用于以下领域:

  • 通讯设备:用于整流和信号切换,确保信号传输的完整性与高效性。
  • 消费电子产品:在低功耗和高效能整流电路中具有优越表现,广泛用于手机、平板电脑及其它便携式设备。
  • 汽车电子:适用于汽车的电源管理系统,特别是需要耐温及耐压的应用。
  • 工业设备:适合存在温度波动及电磁干扰的环境,确保系统稳定运行。

总结

NSVBAS21HT1G 是一款结合了高压、高频、小信号特性和广泛应用场景的标准开关二极管,依托于安森美在电子元器件领域的深厚技术背景,确保其产品在可靠性与性能上的领先地位。凭借卓越的热稳定性与反向特性,NSVBAS21HT1G 定会成为设计师在多种应用中的首选解决方案,为各种电子产品的功能与性能提升提供有力支持。