DF2S12FU,H3F(T 产品实物图片
DF2S12FU,H3F(T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DF2S12FU,H3F(T

商品编码: BM0094336249
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOD-323-2
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
ESD protection diode (standard type, single)
库存 :
483(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.401
按整 :
托盘(1托盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.401
--
200+
¥0.259
--
1500+
¥0.225
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DF2S12FU,H3F(T参数

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DF2S12FU,H3F(T手册

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DF2S12FU,H3F(T概述

DF2S12FU,H3F(T) 产品概述

1. 产品简介

DF2S12FU,H3F(T) 是一款由东芝(TOSHIBA)制造的标准型静电放电(ESD)保护二极管,采用 SOD-323-2 封装。该器件设计用于保护敏感电子组件免受静电放电和过电压带来的损害,确保电子产品在各种工作环境下的可靠性与稳定性。

2. ESD 保护原理

静电放电(ESD)是电子设备常见的一种故障源,它可以瞬间产生高达千伏甚至几千伏的电压,这种高电压可能导致微电子器件的损坏。为了防止这种情况,ESD 保护二极管通过将故障电流引导到地,从而保护敏感元件。例如,DF2S12FU,H3F(T) 的工作原理是,当输入电压高于其额定值时,二极管导通,将过电压引向地,而正常工作电压下则不会影响信号传输,从而确保设备的正常运作。

3. 特性与规格

  • 封装类型:SOD-323-2,这是一种小型表面贴装封装,适合高密度电路板的应用。
  • 反向击穿电压(V_BR):DF2S12FU,H3F(T) 在典型的工作环境中提供良好的反向击穿特性,适合保护大多数低电压数字电路。
  • 低漏电流:在正常工作条件下,该器件表现出相对较低的漏电流,进一步增强其在高灵敏度应用中的可用性。
  • 快速响应时间:DF2S12FU,H3F(T) 具有优良的瞬态响应能力,能够在ESD事件发生时快速切换,最大限度地减少对设备的损害。
  • 工作温度范围:设计上能够承受广泛的工作温度范围,适合各类工业和消费电子应用。

4. 应用场景

DF2S12FU,H3F(T) 的应用范围非常广泛,主要包括但不限于:

  • 手机及平板电脑:在通信设备中,ESD保护二极管用于保护数据接口和显示屏等敏感元件。
  • 计算机设备:在USB接口、HDMI接口等高频信号传输路线上,能够有效防止静电干扰导致的数据丢失或设备损坏。
  • 汽车电子:现代汽车中大量使用电子模块,该二极管可以保护关键信号线和控制单元,确保汽车在高电磁环境下的稳定运行。
  • 消费电子产品:包括家用电器、智能家居设备等,极大地提高产品的耐用性和用户体验。

5. 竞争优势

DF2S12FU,H3F(T) 不仅在性能上优于许多竞争对手的同类产品,还因东芝的品牌效应,其产品质量和可靠性得到了行业的广泛认可。此外,较小的封装体积使得该元件特别适合用于小型化设计,这为工程师和设计师带来了更多设计自由度。

6. 结论

总的来说,DF2S12FU,H3F(T) 是一款极具实用价值的ESD保护二极管,符合现代电子产品对保护和稳定性的高要求。无论是在设计初期的元件选择,还是在产品的后期应用中,该器件都能为设计师提供可靠的保护解决方案。凭借其卓越的性能和灵活的应用范围,DF2S12FU,H3F(T) 无疑是市场上值得关注的一款电子元器件。