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NTMFS4926NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SO-FL-8
包装 :
-
重量 :
0.169g
描述 :
场效应管(MOSFET) 920mW 30V 9A 1个N沟道 SO-8-FL-5.8mm
库存 :
1500(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.88按整 :
-(1-有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.88
--
100+
￥1.44
--
750+
￥1.2
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTMFS4926NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta），44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 920mW（Ta），21.6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1004pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTMFS4 |
NTMFS4926NT1G手册
无数据
NTMFS4926NT1G概述
产品概述：NTMFS4926NT1G
NTMFS4926NT1G 是由安森美公司（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），专为各种现代电子电路的需求而设计。其紧凑的表面贴装封装和优越的电气特性，使其成为广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他高效能功率转换系统的理想选择。
主要参数与特性
电气特性
- 连续漏极电流 (Id): 在环境温度为 25 °C 时，最大的连续漏极电流可达 9A，而在更高的散热条件（粉末状散热块）下，电流可以提升至 44A。这使得 NTMFS4926NT1G 非常适合于高负载应用。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻仅为 7 毫欧（@ 30A），提供低损耗和高效的电流传输，显著降低了功耗和发热。
栅极驱动电压
- 该 MOSFET 支持的最大栅极源极电压（Vgs）为 ±20V，使其在多种驱动电路中具有良好的兼容性。此外，其最小阈值电压 (Vgs(th)) 为 2.2V @ 250µA，确保能在低电压下有效开启。
功率及热管理
- 在 25°C 环境下，NTMFS4926NT1G 最大的功率耗散为 920 mW，而在提升散热管理的条件下则可达到 21.6W。这些特性使得此 MOSFET 在苛刻的温度环境（-55°C ~ 150°C）中也能可靠地工作。
电容和控制
- MOSFET 的输入电容（Ciss）在 15V 时最大可达 1004 pF，栅极电荷（Qg）为 17.3 nC @ 10V，这些参数使该器件能够快速响应控制信号，实现高频开关，以提升电路效率。
封装与尺寸
NTMFS4926NT1G 使用一个紧凑的 8-PowerTDFN 封装，尺寸为 5mm x 6mm，与传统的 SO-8 封装相比，提供更小的占用空间，适应更高密度的电路板布局。这种表面贴装型设计（TR 包装）能够简化自动化装配流程，降低生产成本。
应用领域
NTMFS4926NT1G 由于其高效能和出色的电气特性，被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和功率模块等。
- 马达驱动: 用于电动机的控制与转换，特别是在高频率和高负载的情况下。
- LED 驱动电源: 在 LED 照明系统中，通过高效开关和调光实现节能。
- 便携式设备: 适用于小型、低功耗的便携式设备和消费电子产品。
结论
综上所述，NTMFS4926NT1G 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，其出色的电气特性和紧凑的封装设计使其在当今高性能电子设备中发挥着重要作用。无论是在功率管理、电动机驱动还是便携式电子产品中，该 MOSFET 都能够满足苛刻的应用需求，成为工程师和设计师的首选器件。