FDMC7660S
FDMC7660S参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4325pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），41W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Power33 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMC7660S手册
FDMC7660S概述
FDMC7660S 产品概述
概述
FDMC7660S 是一款高性能N通道MOSFET，由知名半导体供应商安森美（ON Semiconductor）生产。该器件采用Power33封装，旨在满足多种应用需求，特别是在功率管理和电源转换领域。凭借其优异的电气性能、低导通电阻和宽工作温度范围，FDMC7660S 是实现高效率和高密度设计的理想选择。
主要参数
FDMC7660S的漏源电压（Vdss）最大值为30V，适合于中等电压的应用。其最大连续漏极电流（Id）为20A（在环境温度下，Ta）和40A（在较高的散热条件下，Tc），提供灵活的电流处理能力。
该MOSFET的驱动电压有两个选择：4.5V和10V，分别对应不同的工作需求。它的导通电阻（Rds On）在10V时最大值为2.2毫欧，这对于降低导通损耗非常有利，尤其是在高电流应用中。
性能特点
FDMC7660S具备优良的温度特性，工作温度范围从-55°C到150°C，适合高温及严酷环境下的应用。该器件的功率耗散能力也十分出色，最大功率耗散为2.3W（环境温度），在良好的散热条件下可达到41W，这使其在高负载情况下表现稳定。
在切换性能方面，FDMC7660S的栅极电荷（Qg）在10V时的最大值为66nC，提供较低的驱动功耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为2.5V，这使得在较低的驱动电压下便能实现导通，适应更广泛的控制信号类型。
应用领域
FDMC7660S广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、驱动电路、电机控制、以及其他需要高效开关能力的电路。由于其较低的导通电阻和高电流容量，这款MOSFET特别适用于高频和高功率密度的电源设计中。
封装与布局
FDMC7660S采用了流行的8-PowerTDFN封装，设计具备紧凑性和热管理效率。表面贴装设计使得其适用于现代高密度PCB电路，便于自动化生产和后续组装。其引脚布局优化了电流路径，有助于减少寄生电感和电阻，从而提升器件整体性能。
结论
总的来说，FDMC7660S是功能强大的MOSFET，凭借其低导通电阻、宽电压和温度范围，适用于各种高要求的电子应用。无论是在便携式设备、消费电子、工业控制还是汽车电子领域，FDMC7660S都能提供卓越的性能支持。在设计环节，工程师可以凭借FDMC7660S的高可靠性和优良的热性能，确保他们的电路在各类应用中的有效性与稳定性。