FDBL0150N80
FDBL0150N80参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 188nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12800pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 429W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-HPSOF |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
FDBL0150N80手册
FDBL0150N80概述
FDBL0150N80 产品概述
一、概述
FDBL0150N80 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）推出，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器等高电流、高电压的电子电路中。该产品采用 H-PSOF-8 封装，具备卓越的电气性能和热管理能力，能够满足现代电气应用对高效率和高功率密度的需求。
二、产品特点
高电流和高电压
FDBL0150N80 的连续漏极电流（Id）高达 300A，漏源电压（Vdss）为 80V，使其能够轻松应对工业级的电流和电压需求。这使得该器件适用于对电源直流电压高、负载电流大的应用场合。低导通电阻
在 10V 驱动电压和 80A 电流条件下，最大导通电阻（Rds On）仅为 1.4 毫欧。这一优势降低了能量损耗及发热，更为设备的高效运行提供了可靠保障，适合对能效有较高要求的电源设计。广泛的工作温度范围
产品的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其可以在极端环境下稳定运行，适合军工、航空航天及重工业等要求严苛的应用。优秀的开关特性
FDBL0150N80 的栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 4V，具备良好的开关特性。其栅极电荷（Qg）值为 188nC，意味着较小的驱动功耗，有助于提高转换效率。高功率耗散能力
该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 429W（Tj），可以有效地管理在高负载下产生的热量，极大地提升了器件的可靠性。高输入电容
输入电容（Ciss）最大为 12800pF（@25V），这保证了在高频操作下，实现稳定切换的能力，适合用于高频电源转换器。表面贴装类型
FDBL0150N80 的 H-PSOF-8 封装类型，支持自动化的表面贴装生产，提高了组装效率和可靠性，适合现代电子产品的生产流程。
三、应用场景
由于其优越的电气性能和工作范围，FDBL0150N80 可广泛应用于以下领域：
电源管理
在开关电源（SMPS）、逆变器及电池管理系统中，作为开关器件和整流器，用于高效能和高密度的电源设计。工业驱动
用于电动机控制电路，提供高电流和高电压的工作能力，以支持更大功率的电机启动和运行。汽车电子
在电动汽车、混合动力汽车和汽车电源管理系统中，具备高温工作能力，使其适用于极端环境下的电子设备。可再生能源
在光伏发电、风能发电系统中，作为高效的功率调节器件，助力于提升能源转换效率。
四、总结
FDBL0150N80 是一款具备高电流、高电压、低导通电阻和卓越运行温度范围的 MOSFET，适用于各种对能效、可靠性和工作环境有较高要求的应用。选择适当的合适元器件，对提高整体电源转换效率、降低能耗和提升设备的稳定性至关重要。无论是在工业、电动汽车或是可再生能源领域，FDBL0150N80 都将成为设计工程师的首选器件。