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FDB2572
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-263AB
包装 :
编带
重量 :
2.27g
描述 :
场效应管(MOSFET) 135W 150V 4A；29A 1个N沟道 TO-263
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.16按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.16
--
100+
￥11.75
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDB2572参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta），29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1770pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 135W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FDB2572手册
无数据
FDB2572概述
FDB2572 产品概述
产品名称：FDB2572
品牌：ON Semiconductor（安森美）
封装类型：TO-263AB
一、产品特点
FDB2572是一款高效能、N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高电压和中等电流应用而设计。其结构和性能特征使其在开关电源、功率管理、以及直流-直流转换器等多种电子设备中具有广泛的应用。这款MOSFET的主要特点包括：
- 高漏源电压（Vdss）：最大150V，适用于高压电路设计。
- 持续漏极电流（Id）：在环境温度下（Ta）可达到4A，在散热条件较好的情况下（Tc）可承受最高29A。
- 低导通电阻（Rds(on)）：在10V的Vgs驱动下，最大导通电阻为54毫欧，显著降低了功耗和热量产生。
- 宽工作温度范围：可在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作，确保其在极端环境条件下的可靠性。
二、技术规格
- Vgs（最大值）：±20V，保证了电路设计的灵活性。
- 导通电压阈值（Vgs(th)）：最大4V @ 250µA，轻松驱动，便于控制。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为34nC @ 10V，最低限度的栅极驱动功耗。
- 输入电容（Ciss）：最大1770pF @ 25V，确保其在频繁开关状态下的稳定性。
- 功率耗散：最大135W（在Tc条件下），使其非常适合高功率应用。
三、应用领域
FDB2572由于其优秀的性能和特性，广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）：用于高效能直流-直流转换器，通过降低开关损耗提升整体能效。
- 电动工具：适用在高功率电动工具中，提供稳定的能量输出和高效能。
- 工业控制系统：在自动化控制系统中，提供可靠的电流管理及切换功能。
- LED驱动电路：精准控制LED的驱动电流，确保光源的稳定性和均匀性。
- 汽车电子：尤其在电动汽车及混合动力汽车中，可用于电机驱动和能量管理系统，提升车辆效率。
四、总结
总的来说，FDB2572是一款高性能的N沟道MOSFET，结合强大的电气特性和宽广的操作温度范围，适合高压和高功率的电子应用。其低导通电阻和高功率处理能力使其在各种电源管理应用中成为理想选择，能够在高可靠性和高效率的条件下运行。使用FDB2572的设计将能够有效提升产品的效率以及系统的整体性能，是现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。
对于设计人员和开发者来说，FDB2572提供了充足的灵活性和可靠性，能够应对现代电子产品日益增长的性能和效率需求。通过合理的散热设计和电路布局，可充分发挥其优越性能，为其应用领域带来更高的价值。