FDB075N15A
FDB075N15A参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7350pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 333W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FDB075N15A手册
FDB075N15A概述
FDB075N15A 产品概述
一、产品基本信息
FDB075N15A是一款高性能的N通道MOSFET，采用了先进的金属氧化物半导体技术，具备优异的电气性能和热性能。这款MOSFET的漏源电压（Vdss）为150V，能够可靠地处理高电压应用。此外，它的最大连续漏极电流（Id）达到130A，适用于多种高效能功率转换及控制电路。
二、关键参数与性能
漏源电压（Vdss）: 其最大漏源电压为150V，使其在高电压应用中表现出色，广泛用于电源管理、高压开关和电机驱动等领域。
连续漏极电流（Id）: 当环境温度为25°C时，该器件最大能够承载130A的电流，这一点对于高功率应用是至关重要的。
导通电阻（Rds On）: 在10V的栅源电压下，当漏极电流为100A时，导通电阻的最大值为7.5毫欧（mΩ），这意味着在工作时能有效降低功耗，提高系统能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大栅极阈值电压为4V（@250μA），这说明该MOSFET在相对较低的栅源电压下就能开启，非常适合低压驱动电路。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为100nC（@10V）。较低的栅极电荷意味着设备在开关时的驱动能耗低，从而提高开关频率并降低热损失。
输入电容（Ciss）:在75V时，输入电容的最大值为7350pF，这在保证高频工作时，可以有效减少开关损耗。
功率耗散: 器件的最大功率耗散为333W（@ Tc），这使其在高功率操作环境中具有显著的优势，能够维持稳定运行而不会过热。
工作温度: FDB075N15A支持宽广的工作温度范围，具体为-55°C至175°C（TJ），这使其能够在极端环境下稳定工作，特别适合工业、航空航天及汽车等要求严苛的应用。
三、封装与安装
FDB075N15A使用D²PAK（TO-263-3）封装，具有良好的热管理性能和表面贴装特性。这种封装方式便于高密度电路板设计，并支持自动化装配。D²PAK封装的设计使其在PCB上的安装占用空间小，同时能够散发更多的热量，保证器件在高电流负载下的稳定性。
四、适用应用
洲进一步讨论，FDB075N15A的特点使其特别适用于以下领域：
- 开关电源: 适合用于高频和高功率的开关电源设计，以提高总体效率和功率密度。
- 电动汽车充电器: 高电流承载能力及高耐压特性，使其适用于电动汽车充电系统。
- 逆变器: 在光伏和风能逆变器中应用，有助于实现高效的电能转换。
- 电机驱动: 可被广泛应用于电机驱动系统中，确保高效能和快速响应。
五、总结
综上所述，FDB075N15A是一款高效、可靠的N通道MOSFET，具备出色的电气性能、热管理能力及宽广的工作温度范围，非常适合多种高功率和高效率的应用场合。作为安森美（ON）公司推出的一款核心产品，FDB075N15A为设计工程师提供了一种卓越的解决方案，以满足不断增长的电子产品性能需求。