FCD1300N80Z

FCD1300N80Z 产品概述

1. 产品简介

FCD1300N80Z 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，设计用于高压应用，其突破性的性能和高度的可靠性使其成为现代电子电路的理想选择。该器件的漏源电压 (Vdss) 高达 800V，能够处理连续漏极电流 (Id) 达到 4A，适合广泛的电源管理和开关控制应用。

2. 关键参数

FCD1300N80Z 具有一系列显著的技术参数：

• 漏源电压 (Vdss): 800V，意味着该器件可以在高电压环境下稳定工作，适合电力电子和高压直流应用。
• 连续漏极电流 (Id): 4A（在结温 Tc = 25°C 的情况下），指示了设备在正常操作条件下的阻抗特性。
• 导通电阻 (Rds(On)): 在 10V 的栅极驱动电压下，2A 时的最大导通电阻为 1.3Ω，确保在导通状态时极低的功率损耗和良好的热量管理。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 400µA 电流下，最大 Vgs(th) 为 4.5V，保证迅速的开关响应。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 21nC @ 10V，反映了器件切换速度的重要参数，对于高频开关应用至关重要。
• 输入电容 (Ciss): 在 100V 时可达 880pF，优良的输入电容值为高频信号提供了快速反馈。

3. 应用领域

由于其优越的电气特性和高耐压等级，FCD1300N80Z 被广泛应用于多个行业，包括但不限于：

• 开关电源：能够在高压和高开关频率下高效工作，适合用于 DC-DC 转换器及其他电源管理电路。
• 电机驱动器：在驱动直流电动机和步进电动机的电源部分提供卓越的性能和效率。
• 聚合物电池管理：可在电池充电和放电过程中承受高负载，适用于电动车电池管理系统。
• 高压照明驳接系统：在高压照明和其他高功率应用中表现稳定。

4. 封装和安装

FCD1300N80Z 采用 DPAK 封装（TO-252-3），适应于表面贴装，方便装配在 PCB 上。其紧凑的构造有助于降低板级的空间占用，并提高散热效率。该封装形式使得运行温度范围广泛，确立了-55°C 至 150°C 的工作温度范围，使其在各种恶劣环境下均能保持稳定工作。

5. 效能表现

在经过适当的散热设计后，FCD1300N80Z 最大功率耗散可达到 52W，展现其在高负载条件下的性能极限。同时，由于其低导通电阻特性，能显著降低功率损耗，从而提高系统整体的能效。

6. 总结

FCD1300N80Z 是一款结合了高电压能力和高效率的 N 通道 MOSFET，适应未来对电能解决方案的需求。凭借安森美的品牌信誉和一系列卓越的电气特性，它适合于更多高效、可靠的电子设计中。无论是在工业设备、消费电子还是电动车辆领域，FCD1300N80Z 都是提升系统性能和能效的不可或缺之选。