BCW68GLT1G
BCW68GLT1G参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 800mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 30mA，300mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BCW68GLT1G手册
BCW68GLT1G概述
产品概述：BCW68GLT1G
1. 产品基本信息
BCW68GLT1G是安森美（ON Semiconductor）公司生产的一款高性能PNP型双极性晶体管（BJT），广泛应用于各种开关和放大器电路中。其主要参数包括集电极电流（Ic）最大值为800mA，集射极击穿电压（Vce）最大值为45V，以及功率最大值为225mW。该晶体管的封装类型为SOT-23-3（TO-236），是一种小型表面贴装封装，便于在紧凑的电路板上进行安装。
2. 电气特性
BCW68GLT1G以高效率和稳定性著称，其DC电流增益（hFE）在10mA和1V时的最小值为120，能够确保在合适的输入条件下提供良好的放大性能。此外，尽管其最大集电极截止电流（Ic）的值为20nA，这表明该器件的关断状态下表现出极低的漏电流，有助于提高电路的整体效能。
在饱和状态下，BCW68GLT1G的集电极-发射极饱和压降（Vce(sat)）在不同的输入基极电流（Ib）下表现为1.5V（在30mA和300mA的Ic时），再加上其工作频率达到高达100MHz，使该器件可以应用于高频开关电路。
3. 温度特性
BCW68GLT1G具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，这确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。无论是在极端寒冷或高温条件下，该器件均能保持良好的性能，是航空航天、汽车电子以及工业控制等高需求应用场景的理想选择。
4. 封装与安装
该晶体管采用SOT-23-3（TO-236）封装，这是一个小型、轻量且适合表面贴装的封装形式，特别适合现代电子设备对空间的严格要求。其表面贴装设计使得BCW68GLT1G能够轻松集成到自动化生产和微型化电路设计中。
5. 应用领域
凭借以上特性，BCW68GLT1G适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源：作为开关元件，在功率转换和调节的电路中发挥作用。
- 信号放大：在音频和视频信号处理电路中用于信号放大。
- 驱动电路：能够驱动马达、继电器及其他负载。
- 汽车电子：在汽车控制系统中用于各种信号处理和控制操作。
- 消费电子：如音响设备、电视机等家用电器中的信号放大和开关控制。
6. 结论
综上所述，BCW68GLT1G凭借其卓越的电气特性、宽广的温度范围和紧凑的封装设计，成为各种电子应用中的一个理想选择。无论是在性能、稳定性还是集成度上，该晶体管均能满足现代电子产品日益增长的要求。随着科技的不断进步，BCW68GLT1G将继续在前沿技术中发挥重要作用，为电子工程师和设计师提供可靠的解决方案。