IPT007N06N 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPT007N06N

商品编码: BM0094332946
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-HSOF-8
包装 : 
编带
重量 : 
1.3g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 375W 60V 300A 1个N沟道 HSOF-8-1
库存 :
17(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
15.1
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥15.1
--
100+
¥13.73
--
1000+
¥13.32
--
2000+
¥13
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPT007N06N参数

功率(Pd)375W反向传输电容(Crss@Vds)458pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)0.75mΩ@10V,150A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)216nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)21.28nF@30V连续漏极电流(Id)300A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@280uA

IPT007N06N手册

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IPT007N06N概述

IPT007N06N 产品概述

1. 产品基本信息

IPT007N06N是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由全球领先的半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该MOSFET的主要规格为375W的输出功率、60V的耐压以及300A的最大电流,封装类型为PG-HSOF-8,这种封装形态不仅可以提供良好的散热性能,还提高了电路的整体集成度与可靠性。该元器件非常适合用于高效能开关电源、电子电机驱动、以及其他需要高功率和高电流处理的应用场景。

2. 性能特点

a. 低导通电阻(R_DS(on))

IPT007N06N MOSFET的导通电阻非常低,这意味着在正常工作状态下,能够有效减少功耗和发热。这对提高效率尤其重要,尤其是在开关电源(SMPS)和工业电机驱动等高负载应用中,能够显著提升整体系统性能。

b. 快速开关性能

该器件具备快速的开关特性,能够在高频率下稳定工作。这一特点使其非常适合于开关电源和DC-DC变换器等高频应用,能有效降低开关损耗,改善系统的效率和响应速度。

c. 高耐压能力

IPT007N06N拥有60V的耐压,能够满足大多数中高压应用的需求。这使其适应多种电源配置,无论是在便携式设备或是工业控件中都有广泛应用。

d. 超高电流处理能力

其300A的最大电流允许用户在极端工作条件下使用,强调了其在高功率应用中的优势,特别适合用于电动车、高频变流器、重载电机驱动等场合。

3. 应用领域

IPT007N06N MOSFET在多个领域中展现出广泛的适用性:

a. 开关电源(SMPS)

在开关电源设计中,MOSFET常用作开关元件。由于其快速的开关特性和较低的导通电阻,该器件能够提供高效的能量转化和传输,满足高效节能电源要求。

b. 电动机驱动

在电机驱动电路中,MOSFET可用于H桥电路或其他形式的电动机控制中,支持大电流和高效运作,从而实现更好的电机性能和响应速度。

c. DC-DC变换器

由于其高频性能,IPT007N06N在DC-DC转换模块中非常理想,适合用于汽车电子、通讯设备和便携式电源管理等应用中,允许更高的效率和更小的体积设计。

d. 工业控制

在工业控制系统中,该MOSFET可用于电源分配、数据采集和电绪控制等场合,支持每个环节的稳压和能效提升。

4. 安装和设计建议

在使用IPT007N06N进行电路设计时,建议设计者注意以下几个方面:

  • 散热管理:由于高电流操作可能引起持久的温升,建议在PCB设计时合理布局散热片,提高散热效率。

  • 驱动电路设计:采用合适的栅极驱动电路来确保MOSFET的快速开启与关闭,这能有效降低开关损耗。

  • PCB布局优化:采用较短且宽的铜轨来连接MOSFET,以减少电阻和提升电流承受能力,同时降低电磁干扰(EMI)。

5. 结论

综上所述,IPT007N06N是一款性能卓越的高功率N沟道MOSFET,非常适合在各种要求高效能和高电流的应用中发挥重要作用。它的高效特性和集成能力使其成为现代电子设计中不可或缺的元件,能够为各类电源管理和驱动应用提供稳定可靠的性能支持。无论是电动机驱动、开关电源还是工业控制,该器件都能帮助设计师实现高效、紧凑且高度集成的电路解决方案。