IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R600PFD7ATMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | CoolMOS™ PFD7 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 1.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 80µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Thin-PAK（5x6） | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 344pF @ 400V |
IPLK60R600PFD7ATMA1手册
IPLK60R600PFD7ATMA1概述
产品概述：IPLK60R600PFD7ATMA1
制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ PFD7
产品类型: N 通道 MOSFET
概述 IPLK60R600PFD7ATMA1 是英飞凌公司推出的一款高性能 N 通道 H级 MOSFET，专为需要高功率和高电压应用而设计。该器件采用 CoolMOS™ PFD7 技术，结合了优异的电气性能与可靠的热管理特性，适用于各种工业和消费电子应用。
基本参数
该 MOSFET 的关键参数包括其最高漏源电压 Vdss 为 600V，连续漏极电流 Id 为 7A（在 Tc=25°C 的情况下），使其能够在高压和高电流环境中稳定工作。此外，该设备的最大 Rds On（导通电阻）为 600 毫欧，在 10V Vgs 驱动下的 1.7A 电流下，保证了低的功耗和高的效率。
热管理与功率耗散
IPLK60R600PFD7ATMA1 的最大功率耗散为 45W，适用于广泛的温度范围，从 -55°C 到 150°C。其薄型封装设计，即 Thin-PAK (5x6)，允许其在空间有限的环境中实现高效散热，这对提高整体系统的可靠性和性能至关重要。
栅极特性与输入电容
该 MOSFET 的 Vgs(th)（阈值电压）最大值为 4.5V，适合低电压驱动应用。栅极电荷 Qg 最大值为 8.5nC，在 10V 时表现良好，这使得驱动电路的设计更为简便且高效。此外，输入电容 Ciss 的最大值为 344pF @ 400V，确保在高频操作下具有良好的开关性能。
适用领域
得益于这些特性，IPLK60R600PFD7ATMA1 常用于开关电源、直流-直流转换器、逆变器及电机驱动等应用场景。其高电压和高电流的特性使其在工业自动化、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、数据中心电源和电动车辆充电设施等领域表现优秀。
总结
IPLK60R600PFD7ATMA1 是一款功能强大、性能稳定的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和热管理能力，适合多种高电压、高功率应用。英飞凌的 CoolMOS™ PFD7 技术为电子设计工程师提供了设计灵活性，推动了高效能电源解决方案的发展，满足市场对可靠性和效率的日益增长的需求。无论是在消费电子还是工业应用，IPLK60R600PFD7ATMA1 都是一个值得信赖的选择。