制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 450mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 75MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | NZT56 |
制造商: ON Semiconductor
基本产品编号: NZT560
类型: NPN 晶体管
封装: SOT-223-4
包装: 卷带(TR)
零件状态: 有源
NZT560是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能NPN型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、放大电路和信号处理单元等。凭借其卓越的电性能和可靠性,NZT560能够在多种条件下正常工作,是工程师设计和应用中的理想选择。
这些参数表明,NZT560能够处理高达3A的集电极电流,同时在高达60V的工作电压下保持稳定性,适合大多数中低压功率应用。其宽广的工作温度范围意味着该晶体管能够在极端环境下运行,非常适合各种工业和汽车电子应用。
NZT560的直流电流增益(hFE)在不同的工作条件下表现出良好的增益特性。在500mA的集电极电流和2V的Vce下,hFE的最小值为100,这表示在信号放大和开关应用中,该器件能够提供优秀的线性增益。通过优化Ib(基极电流),设计师能够精准控制集电极电流,这对于多种电路配置和需要高灵敏度的应用非常重要。
在设计开关电源和驱动负载电路时,饱和压降(Vce(sat))是一个重要指标。NZT560在300mA和3A的工作条件下,最大饱和压降为450mV,这确保在高电流条件下仍能保持优异的工作效率。低饱和压降能够有效降低功耗,提升整体电路的电能利用率。
随着现代电气工程需求的不断扩大,NZT560因其可靠性和高效能而被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
NZT560采用SOT-223-4封装,支持表面贴装型安装,能够有效减少占用空间,同时提高组装效率。其卷带包装形式便于自动化生产线的加工和处理,提升生产效率并减少制造成本。
在实际应用中,设计师可以根据具体的工作环境和要求灵活选择NZT560以满足不同电路的需求。其广泛的参数范围和高集成度使其在现代电子设计中成为理想的元器件选择。
作为一款出色的NPN三极管,NZT560凭借其高电流处理能力、低饱和压降及良好的频率响应性能,适合多种高性能电子设备应用。安森美半导体为其提供了稳定的制造支持,并确保其在严苛环境下的可靠性。在设计和开发新一代电子产品时,NZT560无疑是值得考虑的优良选项。