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FDD86252
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
D-PAK（TO-252）
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.1W；89W 150V 5A；27A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.93按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.93
--
100+
￥5.77
--
1250+
￥5.24
--
2500+
￥4.86
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
FDD86252参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta），27A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 985pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），89W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FDD86252手册
无数据
FDD86252概述
FDD86252 产品概述
产品概述
FDD86252是一款高性能N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足多种电源管理和开关应用的需求。这款MOSFET具有150V的漏源电压（Vds）和5A的连续漏极电流（Id），并在更高的环境温度下（Tc）可支持高达27A的电流，这使其非常适合在功率密集型应用中使用。
关键参数
电气性能:
- 漏源电压（Vdss）: 150V，能够处理高电压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C时为5A，在更高的环境条件下（Tc）为27A，显示出其良好的热管理能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在5A、10V的工况下，其最大导通电阻为52毫欧，低导通电阻可以减少功耗和热量生成，从而提升效率。
栅极驱动特性:
- 栅源电压（Vgs）: 最大达到±20V，允许设计师在驱动电路中灵活使用。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4V @ 250µA，能有效控制开关特性。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V条件下为16nC，较低的栅极电荷减少了开关损耗，提高了开关速度。
输入电容和功率耗散:
- 输入电容（Ciss）: 在75V条件下最大为985pF，显示出良好的频率响应特性。
- 功率耗散: 最大功耗为3.1W（Ta），并在更高的操作环境中可达到89W（Tc），表现出极佳的散热能力。
工作环境:
- 工作温度范围: 从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，适合严苛条件下的应用，如汽车、工业和航空航天。
封装与安装
FDD86252采用D-PAK（TO-252）封装，这种表面贴装型封装设计使其在PCB上的安装更加方便，同时保持良好的散热特性和空间利用率。D-PAK封装具有优良的电性能和机械强度，非常适合用于自动化组装及大规模生产。
应用场景
FDD86252适用于多种高效能电源转换应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动和控制
- DC-DC转换器
- 仪器仪表中的功率管理
- 汽车电子系统中的电源管理
其高效能和可靠的电气特性使FDD86252成为工程师在设计中考虑的理想解决方案。
总结
综合考虑，FDD86252是一款高效、可靠的N通道MOSFET，具有卓越的电气性能和广泛的工作参数，能够满足各种电源管理和控制应用的需求。通过较低的导通电阻、良好的热特性及环境适应性，该MOSFET在现代电力电子设计中展现出极大的潜力，无疑是各类电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在汽车、工业，还是消费电子领域，FDD86252都能为产品提供优越的性能和可靠性。