NSVDTC114YM3T5G
NSVDTC114YM3T5G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 功率 - 最大值 | 260mW | 基本产品编号 | NSVDTC114 |
NSVDTC114YM3T5G手册
NSVDTC114YM3T5G概述
NSVDTC114YM3T5G 产品概述
基本信息概述
NSVDTC114YM3T5G 是由知名半导体制造商 ON Semiconductor 生产的一款高性能数字晶体管，采用 SOT-723 封装，适用于表面贴装技术（SMT）。该器件在设计时已预先设置基极偏置，使其在较低的电流条件下仍然能够确保良好的开关特性，广泛应用于多种电子电路中。
结构与封装
NSVDTC114YM3T5G 的封装类型为 SOT-723，这是一种小型的六脚表面贴装封装，适合用于高密度电路板上，能够显著节省空间。其尺寸小巧，适合于移动设备、便携式电子产品以及其他对空间要求严格的应用。在表面贴装的过程中，SOT-723 封装有助于提高焊接的可靠性和元件的机械强度。
关键电气参数
- 最大电流集电极（Ic）：100mA
- 最大集射电压（Vce）：50V
- 功率最大值：260mW
- 电流增益（hFE）：在5mA和10V条件下，最小值为80，这意味着该晶体管能够提供优异的放大性能。
- 饱和压降：在300µA和10mA的条件下，Vce 饱和压降的最大值为250mV，表明在导通状态下功率损耗较小，有利于提高电路的能效。
这款晶体管特别适合在数字电路中应用，能够作为开关或信号放大器使用，适用的应用场景包括逻辑电平转换、驱动小信号负载以及各类控制电路。
应用场景
NSVDTC114YM3T5G 的设计典型应用于信号放大和低功耗数字电路中，在这些应用中，性能稳定性与响应速度是至关重要的。具体应用包括：
- 消费者电子产品：适用于音频放大、小型马达驱动等电路。
- 通信设备：如手机和其他便携式通讯设备，作为开关控制和信号调理元件。
- 传感器接口：在传感器信号处理电路中，由于其低集电极电流截止特性，可用于处理弱小的信号。
- 嵌入式系统：可以用于多种嵌入式控制系统中，提供可靠的开关控制方案。
设计注意事项
在实际应用中，设计工程师需要充分考虑电路中运行环境的电气特性，包括温度、负载类型等。为了达到最佳性能，基极和发射极偏置电阻建议为 R1:10 kΩ 和 R2:47 kΩ，能够有效地稳定工作点，优化增益特性。
在选择NSVDTC114YM3T5G时，工程师还需注意元件的封装和布局设计，以保证适当的散热，避免因高电流或高电压导致的元件损坏。同时，确保PCB设计能为其提供良好的电源和信号传输条件。
结论
NSVDTC114YM3T5G 是一款高性能的 NPN 数字晶体管，凭借其出色的电气特性、紧凑的封装设计以及可靠性，适合用于多种电子应用。其特性使其成为高效能电路设计的理想选择，是现代数字电路中不可或缺的基础元件之一。无论是在消费者电子、通信设备，还是在工业控制系统中，NSVDTC114YM3T5G 都展现出了广泛的应用潜力。