BC849CLT1G
BC849CLT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BC849CLT1G手册
BC849CLT1G概述
产品概述：BC849CLT1G NPN晶体管
一、概述
BC849CLT1G是一款高性能的NPN型三极管，由安森美半导体(ON Semiconductor)生产，专为多种应用场景设计，如信号放大、开关电路和其他低功耗的电子设备。凭借其优异的电气特性和可靠的工作性能，BC849CLT1G广泛应用于消费电子、通信设备以及工业自动化中。
二、基本参数
- 类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 30V
- Vce饱和压降: 在Ic为5mA与100mA时，最大值为600mV
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大15nA
- 直流电流增益 (hFE): 在2mA和5V下，最小值为420
- 功率最大值: 300mW
- 频率: 跃迁频率可达100MHz
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
三、电气特性
BC849CLT1G具备出色的电气特性，适合高频率和高增益的应用。在以2mA电流工作时，其DC电流增益（hFE）达到420，这使得其在信号放大电路中能够实现良好的增益性能。同时，最大集电极电流为100mA，使其能够支持多种负载。
Vce饱和压降为600mV，这意味着在较高负载电流时，器件仍然能够提供较低的功耗，适合于需要低功耗的应用场景。集电极截止电流仅为15nA，显示出其优良的关断特性，使得其在待机模式下消耗的电流非常小，有利于延长便携式设备的电池使用寿命。
四、温度特性
BC849CLT1G拥有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，可以在各种极端环境下稳定工作。这使得其成为航空航天、汽车电子和高温工业环境中理想的选择。
五、封装及安装
该器件采用SOT-23-3封装（TO-236），具有小型化和低重量的优势，非常适合现代电子设备中对空间和重量的严格要求。表面贴装型的设计使得其在自动化生产中易于焊接与组装，促进了生产效率的提高。
六、应用领域
BC849CLT1G的应用范围相当广泛，主要包括但不限于：
- 消费电子: 电视、音响系统和其他音频设备中用于信号放大。
- 通信设备: 无线通信基站、移动设备中用于信号调制和放大。
- 工业自动化: 传感器信号处理和开关控制应用。
- 汽车电子: 发动机管理系统、传动系统控制电路等领域。
- 医疗设备: 低功耗数据采集与分析设备中。
七、总结
BC849CLT1G是一款功能强大的NPN晶体管，具备高增益、低功耗及广泛的工作温度范围，适用于多种电子应用。其紧凑的SOT-23-3封装和卓越的电气特性，使其成为市场上炙手可热的三极管选择之一。不论是在高频信号处理还是低功耗设备中，BC849CLT1G都能展现出其优越的性能，满足不同应用需求。选择BC849CLT1G，将为您的设计带来可靠与高效的解决方案。