SBC846BLT1G
SBC846BLT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SBC846BLT1G手册
SBC846BLT1G概述
SBC846BLT1G 产品概述
产品型号： SBC846BLT1G
品牌： ON Semiconductor（安森美）
封装类型： SOT-23-3（TO-236）
一、概述
SBC846BLT1G 是一款高性能 NPN 晶体管，专为低功耗和高频率应用而设计，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、信号放大、振荡器，以及负载驱动等。作为一款表面贴装元件，SBC846BLT1G 能够满足现代电子设备对小型化和高效能的要求，特别适合空间受限的应用场景。
二、基本参数
- 晶体管类型: NPN
- 电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 100mA
- 电压 - 集射极击穿 (Vceo) 最大值: 65V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值 600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止 (ICBO) 最大值: 15nA
- DC 电流增益 (hFE) 最小值: 200 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大值: 300mW
- 频率 - 跃迁: 100MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: SOT-23-3（TO-236）
三、功能特性
高额定电流和电压： SBC846BLT1G 的集电极电流最大可达 100mA，而最大集射极击穿电压为 65V，使其适用于需要中等功率处理的应用。
低饱和压降： 在 100mA 的工作电流下，饱和压降仅为 600mV，这意味着在开关应用中能够有效降低功率损失，提高电路的整体效率。
高增益特性： 该晶体管的最低直流电流增益 (hFE) 为 200，确保即使在较低的输入电流条件下，仍能提供良好的输出性能。这使得它非常适合用于高增益放大器和信号处理电路。
宽工作温度范围： 工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定工作，对于军事、航空航天和工业应用等环境尤为重要。
高频性能： SBC846BLT1G 的跃迁频率为 100MHz，使其能够在高频信号下正常工作，满足 RF 应用和高速开关的需求。
四、应用领域
SBC846BLT1G 广泛应用于：
- 信号放大电路： 适合用于音频、视频和其他信号的放大。
- 开关电源管理： 由于其低饱和压降和高增益特性，常被用于高效开关电源模块。
- 图像处理和信号处理： 在图像处理电路中，能够提供对信号的精准放大。
- 振荡器和调制解调器： 能够稳定生成高频信号，非常适合用于 RF 应用。
五、总结
SBC846BLT1G是一款功能强大且性能优越的NPN晶体管，广泛适用于多种电子电路，凭借其高增益、低饱和压降及宽工作温度范围，满足当今市场对小型化、节能和高效能的需求。这款产品的设计不仅考虑到性能，还兼顾了可靠性和广泛的应用场景，确保其在各种复杂环境中都能稳定运行。选择 SBC846BLT1G，将为您的电子设计和产品增添强大的驱动能力与可靠性。