AP25P06K 产品实物图片
AP25P06K 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP25P06K

商品编码: BM0094304996
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 60W 60V 25A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
8982(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.89
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.89
--
100+
¥0.594
--
1250+
¥0.54
--
2500+
¥0.499
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP25P06K参数

功率(Pd)60W反向传输电容(Crss@Vds)77.3pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)37.6nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.6307nF@30V连续漏极电流(Id)25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@12A

AP25P06K手册

empty-page
无数据

AP25P06K概述

AP25P06K 产品概述

一、产品基本信息

AP25P06K是由ALLPOWER(铨力)制造的一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种专为高效电力管理与转换而设计的电子元器件。该MOSFET的额定功率为60W,额定电压为60V,许可以及最大电流为25A,使其成为多种应用中的理想选择。此器件使用TO-252封装,适合用于空间受限的电路和系统中。

二、产品特点

  1. 高额定电流与电压:AP25P06K在60V和25A的额定条件下能够实现高效的电流导通,适用于各种需要较大电流应用的电路设计,特别是在自动化、工业控制等高负载条件下。

  2. P沟道设计:该MOSFET的P沟道结构使其在开关电源应用中具有优异的反向导通特性,利于实现更高的传输效率,并有效降低功耗。

  3. 节省空间的TO-252封装:TO-252是小型化的封装形式,能够为电路板设计提供更小的占用空间,使得整机设计更加紧凑。这种封装优良的热散能力进一步提高了其在高负载下的稳定性。

  4. 良好的开关特性:AP25P06K具有相对较低的开关损耗,使其非常适合高频开关电源的应用。此外,其快速的开/关特性也适合用于高频工作条件下的设备。

  5. 热稳定性强:该MOSFET在工作过程中展现出良好的热稳定性,有助于在长时间运行的场合下保持可靠的工作状态,减少过热造成的损坏风险。

三、应用领域

AP25P06K MOSFET广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源:由于其高效的开关特性,AP25P06K常被用于开关电源模块中,帮助减少能量损失,提高整机的稳定性和效率。

  2. 电机驱动:在高电流电机驱动应用中,该MOSFET的高导通能力能够满足电机启动和运行过程中的高负载需求。

  3. 电源管理:适用于各类电源管理电路,例如电压调节器、功率分配单元等,借助其优异的开关特性来提升系统整体的效率。

  4. LED驱动:在LED照明和驱动电路方面,AP25P06K能够通过低功耗和高效率来预计延长LED光源的使用寿命。

  5. 消费电子:在智能家居和便携设备中,该MOSFET常用于电源切换,实现待机和工作状态的切换,增强用户体验。

四、技术规格与参数

  • 逻辑电平: 兼容各类逻辑电平,适合嵌入式系统
  • RDS(on): 低导通电阻,降低通过的电流损耗
  • VGS(th): 合理的阈值电压,确保在控制信号输入时能迅速导通
  • 最大结温: 支持较高的环境工作温度,为严苛的工作条件提供可靠性

五、总结

AP25P06K作为一款高效可靠的P沟道MOSFET器件,凭借其优异的性能和多样的应用场景,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要基础元器件之一。在未来日益发展的电子技术环境中,AP25P06K将继续发挥其独特的优势,为更高效、节能和智能化的电子设备奠定基础。无论是在工业控制、自动化还是消费类电子产品中,AP25P06K都能满足客户的多重需求,为电子电路的优化设计提供强有力的支持。