功率(Pd) | 60W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77.3pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 37.6nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.6307nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@12A |
AP25P06K是由ALLPOWER(铨力)制造的一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种专为高效电力管理与转换而设计的电子元器件。该MOSFET的额定功率为60W,额定电压为60V,许可以及最大电流为25A,使其成为多种应用中的理想选择。此器件使用TO-252封装,适合用于空间受限的电路和系统中。
高额定电流与电压:AP25P06K在60V和25A的额定条件下能够实现高效的电流导通,适用于各种需要较大电流应用的电路设计,特别是在自动化、工业控制等高负载条件下。
P沟道设计:该MOSFET的P沟道结构使其在开关电源应用中具有优异的反向导通特性,利于实现更高的传输效率,并有效降低功耗。
节省空间的TO-252封装:TO-252是小型化的封装形式,能够为电路板设计提供更小的占用空间,使得整机设计更加紧凑。这种封装优良的热散能力进一步提高了其在高负载下的稳定性。
良好的开关特性:AP25P06K具有相对较低的开关损耗,使其非常适合高频开关电源的应用。此外,其快速的开/关特性也适合用于高频工作条件下的设备。
热稳定性强:该MOSFET在工作过程中展现出良好的热稳定性,有助于在长时间运行的场合下保持可靠的工作状态,减少过热造成的损坏风险。
AP25P06K MOSFET广泛应用于以下几个领域:
开关电源:由于其高效的开关特性,AP25P06K常被用于开关电源模块中,帮助减少能量损失,提高整机的稳定性和效率。
电机驱动:在高电流电机驱动应用中,该MOSFET的高导通能力能够满足电机启动和运行过程中的高负载需求。
电源管理:适用于各类电源管理电路,例如电压调节器、功率分配单元等,借助其优异的开关特性来提升系统整体的效率。
LED驱动:在LED照明和驱动电路方面,AP25P06K能够通过低功耗和高效率来预计延长LED光源的使用寿命。
消费电子:在智能家居和便携设备中,该MOSFET常用于电源切换,实现待机和工作状态的切换,增强用户体验。
AP25P06K作为一款高效可靠的P沟道MOSFET器件,凭借其优异的性能和多样的应用场景,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要基础元器件之一。在未来日益发展的电子技术环境中,AP25P06K将继续发挥其独特的优势,为更高效、节能和智能化的电子设备奠定基础。无论是在工业控制、自动化还是消费类电子产品中,AP25P06K都能满足客户的多重需求,为电子电路的优化设计提供强有力的支持。