功率(Pd) | 360mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4.5V,0.14A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 19pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 170mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@20uA |
产品简介
BSS84PH6327 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能 P 沟道场效应管 (MOSFET),其额定功率为 360mW,最大电压可承受 60V,允许通过的最大电流为 170mA。该元件采用广泛使用的 SOT-23 封装,封装类型为 PG-SOT23-3,这使得它在空间受限的应用环境中具有良好的灵活性和适应性。
产品特点
高开关效率:BSS84PH6327 特别设计用于提供高开关效率,能够在低栅极驱动电压下实现快速开关。这对于现代电子设备的高频率操作尤为重要,有助于减少开关损耗,提高系统整体效率。
小型化封装:采用 SOT-23 封装,使 BSS84PH6327 在空间受限的电路板设计中显得尤为理想。在现代电子产品日益追求小型化和轻量化的趋势下,该 MOSFET 的封装设计大大满足了市场需求。
优越的热管理:虽然 BSS84PH6327 的额定功率为 360mW,但其设计允许在良好的散热条件下工作,提升器件的可靠性。合理的热设计确保了 MOSFET 在高负载情况下的稳定性能。
宽工作电压范围:最高60V的耐压能力使得该 MOSFET 适用于各种应用,包括电源切换、信号开关等多种实际场景,能够满足不同行业对元器件的需求。
低导通电阻:该产品在导通时具有较低的 R_DS(on) 值,能够有效降低导通损耗,进一步提高了电路的能效表现。
应用场景
BSS84PH6327 的优异特性决定了其可以广泛应用于多种电子电路设计中:
电源管理: 在开关电源(SMPS)中,BSS84PH6327 能够有效实现开关控制,提高电源转换效率。它通常被用于实现高频开关,帮助降低昂贵的电源元件数量。
信号开关: 优秀的开关性能使其非常适合于信号开关应用,比如在编程和数据采集设备中的应用。通过有效控制信号的走向,提高整个系统的调试和运作效率。
负载开关:BSS84PH6327 也可以被用于控制较大的负载,比如电机驱动或灯光系统,通过关断或接通电流实现对负载的有效管理,从而达到优化功耗的效果。
消费电子:其小巧的体积使其成为消费电子产品(如智能手机、平板电脑和家用电器)的理想选择,为这些设备提供高效且可靠的性能。
传感器应用:在传感器应用中,通过使用 BSS84PH6327 可以实现对传感器的快速响应与控制,尤其在需要快速切换的应用场景下表现突出。
结论
总体而言,BSS84PH6327 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,凭借其出色的电性特性和可靠的操作,满足多种实际应用需求。在电子产品愈加精细化与复杂化的今天,选择 BSS84PH6327 将为您的产品设计提供强有力的支持和保障。无论是在电源管理、信号开关、还是复杂的负载控制应用中,它都能为设计工程师提供必要的功能和灵活性,确保电子系统的高效与稳定运行。