功率(Pd) | 500mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 500pF@15V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@11uA |
BSS308PEH6327是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其具有500mW的功率处理能力、30V的耐压和2A的持续电流能力。这款产品由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)出品,采用PG-SOT23-3-5封装,适合在各种电子应用中提供高效的电流控制与开关功能。
封装及尺寸:BSS308PEH6327采用SOT-23封装,体积小巧,适用于空间有限的电子产品设计。其三引脚的布局设计使得电气连接更加简便,适合在PCB设计中灵活使用。
电气特性:
低导通阻抗:BSS308PEH6327具有较低的导通阻抗,这意味着在导通状态下可以有效减少能量损耗,从而提升系统的整体能效。
开关速度快:场效应管的开关速度较快,能够实现快速切换,有助于在因应突发负载变化时保持系统的稳定性。
适应性强:BSS308PEH6327的电气特性使其适合多种应用,如开关电源、LED驱动、低功率电机控制以及其他需要高效电流开关的场合。
BSS308PEH6327在许多电子产品设计中具有广泛的应用前景,具体包括但不限于:
总之,BSS308PEH6327是一款具备高效电流控制能力的P沟道场效应管,其来自英飞凌的优秀工艺保证了其在电气性能与可靠性上的优势。凭借其小巧的SOT-23封装,500mW的功耗、30V的耐压及2A的电流能力,该器件能够满足多个应用场景的需求,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论在日常消费电子还是在工业控制系统中,BSS308PEH6327都能够助力工程师实现更高效的电路设计和性能优化。