功率(Pd) | 1.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 48pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@10V,1.9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 60V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 410pF@25V |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
BSP170PH6327 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件在电源管理、负载控制以及开关应用等领域表现出色。其最大电压承载能力为60V,最大电流为1.9A,并且具有1.8W的功耗能力,广泛适用于多种电子电路设计。
封装类型:BSP170PH6327采用PG-SOT223-4封装。这种小型封装不仅节省了电路板面积,还能有效提升散热性能,适合于高密度应用环境。
电气参数:
开关特性:BSP170PH6327具有较低的开关损耗,频繁的开关操作不会导致显著的热量积聚,从而提高了整体的系统效率。
高门控电压:该产品在导通时具有较低的栅源电压要求,有助于简化驱动电路的设计。
良好的热性能:由于其封装设计和优质的制造工艺,BSP170PH6327在高温环境下仍能稳定工作。
兼容性:与其他电子元器件易于集成,适合用于各种电路设计,能够支持多种工作模式。
BSP170PH6327 的特性使其适用于多个应用领域,包括但不限于:
电源管理:可广泛应用于DC-DC转换器、稳压电源以及电池管理系统,实现高效的电源转换和管理。
负载开关:适用于对电路中的负载进行有效的切换,加快开关速度,提高电路的响应时间。
光驱动电路:在LED驱动电路中可以发挥重要作用,帮助有效控制LED的亮度和开启时间。
音频设备:在音频放大器和喇叭驱动电路中,能减少失真,提高音质表现。
自动化控制:在工业自动化控制中,用于驱动电机和其他负载的开关。
BSP170PH6327 作为英飞凌的产品,背后拥有强大的技术支持及良好的市场声誉。该器件在功耗、效率和个体性能上都与国内外同类产品相比,显现出较强的竞争力。通过采用先进的工艺技术,英飞凌确保了其产品的高可靠性和持久性,这也是客户选择其作为解决方案的重要原因之一。
总的来说,BSP170PH6327 是一款高效率、高性能的小型 P 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和良好的热性能,适合于多种应用。它是现代电子设计中的理想选择,也为相关行业的发展提供了强有力的支持。通过对该器件的有效应用,设计师能够实现更高效的电源管理,提升产品的整体性能与可靠性。