BSP170PH6327 产品实物图片
BSP170PH6327 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSP170PH6327

商品编码: BM0094303944
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SOT223-4
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 60V 1.9A 1个P沟道 SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.58
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.58
--
100+
¥3.66
--
1000+
¥3.39
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSP170PH6327参数

功率(Pd)1.8W反向传输电容(Crss@Vds)48pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@10V,1.9A
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)60V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)410pF@25V
连续漏极电流(Id)1.9A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA

BSP170PH6327手册

empty-page
无数据

BSP170PH6327概述

产品概述:BSP170PH6327

一、基本信息

BSP170PH6327 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件在电源管理、负载控制以及开关应用等领域表现出色。其最大电压承载能力为60V,最大电流为1.9A,并且具有1.8W的功耗能力,广泛适用于多种电子电路设计。

二、主要特性

  1. 封装类型:BSP170PH6327采用PG-SOT223-4封装。这种小型封装不仅节省了电路板面积,还能有效提升散热性能,适合于高密度应用环境。

  2. 电气参数

    • 额定电压:60V,适合于中低电压应用场景。
    • 最大漏极电流:1.9A,使其能够处理多种负载条件。
    • 功耗能力:1.8W,符合多种高效能电源的需求。
  3. 开关特性:BSP170PH6327具有较低的开关损耗,频繁的开关操作不会导致显著的热量积聚,从而提高了整体的系统效率。

  4. 高门控电压:该产品在导通时具有较低的栅源电压要求,有助于简化驱动电路的设计。

  5. 良好的热性能:由于其封装设计和优质的制造工艺,BSP170PH6327在高温环境下仍能稳定工作。

  6. 兼容性:与其他电子元器件易于集成,适合用于各种电路设计,能够支持多种工作模式。

三、应用领域

BSP170PH6327 的特性使其适用于多个应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:可广泛应用于DC-DC转换器、稳压电源以及电池管理系统,实现高效的电源转换和管理。

  2. 负载开关:适用于对电路中的负载进行有效的切换,加快开关速度,提高电路的响应时间。

  3. 光驱动电路:在LED驱动电路中可以发挥重要作用,帮助有效控制LED的亮度和开启时间。

  4. 音频设备:在音频放大器和喇叭驱动电路中,能减少失真,提高音质表现。

  5. 自动化控制:在工业自动化控制中,用于驱动电机和其他负载的开关。

四、市场竞争力

BSP170PH6327 作为英飞凌的产品,背后拥有强大的技术支持及良好的市场声誉。该器件在功耗、效率和个体性能上都与国内外同类产品相比,显现出较强的竞争力。通过采用先进的工艺技术,英飞凌确保了其产品的高可靠性和持久性,这也是客户选择其作为解决方案的重要原因之一。

五、总结

总的来说,BSP170PH6327 是一款高效率、高性能的小型 P 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和良好的热性能,适合于多种应用。它是现代电子设计中的理想选择,也为相关行业的发展提供了强有力的支持。通过对该器件的有效应用,设计师能够实现更高效的电源管理,提升产品的整体性能与可靠性。