制造商 | NXP USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 频率 - 跃迁 | 11GHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 1.4dB @ 1.8GHz | 增益 | 10.5dB |
功率 - 最大值 | 1W | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 30mA,8V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60mA | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 | 基本产品编号 | BFU58 |
BFU580GX 是 NXP USA Inc. 生产的一款高性能 NPN 型晶体管 (BJT),其额定功率为 1W,电压范围可达到 12V,适用于多种高频应用和中等功率电子电路。该器件以 SOT-223 封装形式提供,具备优异的小型化特性,方便在现代电子产品中实现空间的优化。
电气特性:
频率特性:
噪声特性:
工作环境:
封装:
BFU580GX 的设计使其适用于多种电子应用,主要包括但不限于:
BFU580GX 是一款高效率、高频率、低噪声的 NPN 型晶体管,凭借其优越的电气性能和环境适应性,成为现代电子产品中不可或缺的元件之一。其 SOT-223 封装的设计也为设计师在空间有限的情况下提供了灵活的解决方案。无论是在无线通信、汽车电子,还是工业控制领域,BFU580GX 皆可为相关电路的高效工作提供支持。选用 BFU580GX,将为您的项目带来更高的性能、更好的稳定性及更大的设计灵活性。