SQ2318AES-T1_GE3
SQ2318AES-T1_GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SQ2318AES-T1_GE3手册
SQ2318AES-T1_GE3概述
SQ2318AES-T1_GE3 产品概述
产品简介
SQ2318AES-T1_GE3 是 VISHAY（威世）旗下的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其突出特点包括高电流承载能力、低导通电阻及广泛的工作温度范围，适用于多种电子设备和电源管理应用。这款 MOSFET 在 SOT-23-3（TO-236）封装中提供，方便在各种表面贴装技术（SMD）应用中的集成。
基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术类型: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 最大漏源电压（Vdss）: 40V
- 最大连续漏极电流（Id @ 25°C）: 8A
- 导通电阻（Rds(on)）:
- 最大值：31毫欧 @ 6A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）:
- 最大值：2.5V @ 250µA
- 栅极驱动电压（Rds On 最大/最小）: 4.5V，10V
- 栅极电荷（Qg 最大值）: 13nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs 最大值）: ±20V
- 输入电容（Ciss 最大值）: 555pF @ 10V
- 功率耗散（最大值）: 3W
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
设计优势
高电流能力: SQ2318AES-T1_GE3 能够承受高达 8A 的连续漏极电流，适合需要高功率转化和稳定输出的电源管理设计。
低导通电阻: 31毫欧的最大导通电阻确保了该器件在开关状态下可以高效工作，降低功耗并提高设备的整体效率，这对于便携式和高能效设备尤其重要。
高温工作能力: 此 MOSFET 具备广泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），使其在多种恶劣的环境条件下均能可靠工作，适合用于汽车电子、工业控制等高要求的场合。
紧凑封装设计: 采用 SOT-23-3 封装的设计提升了板级空间的利用率，适合高密度电路设计，有助于降低整体产品的体积。
快速开关速度: 较小的栅极电荷（Qg）值使得此 MOSFET 在电源转换应用中能够支持快速开关，从而增加了开关频率，进一步降低了系统的尺寸和重量。
应用场景
SQ2318AES-T1_GE3 适用于多种电子和电气应用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- LED 驱动电路
- 高频开关电路
- 汽车电源管理系统
在电动汽车（EV）、便携式电子产品和工业自动化设备等日益需要高效能源管理和快速响应的应用中，此 MOSFET 的特性能够帮助设计人员实现高效、可靠、经济的解决方案。
总结
SQ2318AES-T1_GE3 是 VISHAY 发布的一款功能全面的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能和高温耐受能力，成为许多先进电力电子设计的理想选择。通过将其集成到设计中，工程师能够显著提升设备的能效和性能，为实现更高的系统可靠性提供了保障。