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BUK9Y41-80E,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
编带
重量 :
0.138g
描述 :
场效应管(MOSFET) 64W 80V 24A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.63按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.63
--
100+
￥3.02
--
750+
￥2.75
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK9Y41-80E,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.9nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1570pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 64W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y41-80E,115手册
无数据
BUK9Y41-80E,115概述
产品概述：BUK9Y41-80E,115 N沟道MOSFET
概述
BUK9Y41-80E,115是一款高性能的N通道MOSFET（场效应管），由知名制造商Nexperia（安世）生产。这款MOSFET以其杰出的电气性能以及在严格的环境条件下的可靠性，广泛应用于各种电子设备中，如开关电源、直流电机驱动、负载开关和其他电力电子领域。
技术参数
- 技术: MOSFET（场效应管）
- 漏源电压（Vds max）: 80V
- 连续漏极电流（Id）: 24A（在60°C以下的散热器温度）
- Rds(on):
- 最大值: 41mΩ（在10V驱动下，当前为5A）
- Vgs(th): 最大值为2.1V（在1mA下测得）
- 栅极驱动电压（Vgs）: ±10V（最大值，可确保MOSFET的稳定工作）
- 栅极电荷（Qg max）: 11.9nC（在5V的设备下测得）
- 输入电容（Ciss max）: 1570pF（在25V电压下）
- 功率耗散（PD max）: 64W（散热器温度Tc）
- 工作温度范围: -55°C至175°C（可在极端环境下工作）
封装与安装
BUK9Y41-80E,115采用高效的表面贴装型（SMD）封装，具有LFPAK56和Power-SO8两种封装形式，便于减小PCB的占位面积和优化热管理。这种封装设计为高功率处理和小尺寸设备设计提供了灵活性，特别适合工业、汽车应用和消费电子产品。
应用场景
BUK9Y41-80E,115因其高效率和低导通电阻而特别适用于以下应用：
- 开关电源: 适用于推挤变换器、逆变器等电源转换应用，能够高效地切换电流，减少能量损耗。
- 电动汽车驱动: 在电机驱动系统中运用，提供高效的能源源流和控制。
- 负载开关: 适用于高电流和高电压场合，确保开关的快速响应和稳定性。
- 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中，能够有效控制电流流入和流出，提升系统的安全性与性能。
- 工业设备: 用于可编程逻辑控制器（PLC）、运动控制和自动化设备中，提高系统的总效率。
性能优势
BUK9Y41-80E,115MOSFET在性能上具有以下优势：
- 高效能: 低Rds(on)和高电流处理能力可有效减小功耗，提高整体系统运行效率。
- 宽广的温度范围: 在极端温度下维持卓越性能，适合恶劣环境中的应用。
- 可靠性: 采用高品质材料和先进的制造工艺，确保器件在长时间使用中的稳定性与可靠性。
- 紧凑设计: 小尺寸封装设计，使其在空间有限的应用场合依然能实现强大的电源管理功能。
结论
BUK9Y41-80E,115是一款具有卓越性能、宽广应用场景和可靠性设计的N通道MOSFET。它的高效率和低损耗特性使其成为现代电子设备中的首选元件，特别是在需要高功率处理的行业和应用场合。无论是在消费类电子产品，还是在工业和汽车电子方面，这款MOSFET都展现出了极强的市场竞争力。随着电子技术的不断发展，BUK9Y41-80E,115将继续在各类电力电子设备中扮演重要角色。