驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 6.1V ~ 18V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.6V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.5A,1.5A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 36ns,32ns | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
MC33152DR2G 产品概述
MC33152DR2G 是一款高性能的逻辑驱动器,由著名的安森美半导体 (ON Semiconductor) 生产。其独特的设计和丰富的功能使其在众多电子应用中脱颖而出,特别是在需要高效、可靠的开关控制环境下。
MC33152DR2G 的驱动配置为低端配置,适合与多种电源类型兼容。其供电电压范围为 6.1V 至 18V,使其能够适应不同场景的电力需求。该驱动器包含两个独立的通道,支持独立控制多个负载,具有良好的灵活性。
该设备使用 N 沟道 MOSFET 作为基础器件,其逻辑电压特性分别为 VIL = 0.8V 和 VIH = 2.6V。这种设计确保了其能够与广泛的数字电路兼容,并在不同的逻辑级别下稳定运行。MC33152DR2G 的峰值输出电流达 1.5A(无论是灌入或拉出),足以驱动常见的负载,如继电器、LED、以及其他线性或非线性负载。
MC33152DR2G 的输入类型为非反相,这意味着其输出将在输入信号有效时提供相同的逻辑状态,从而确保了用户在设计电路时的便利性。此外,该驱动器的上升和下降时间分别为 36ns 和 32ns,这些动态特性保证了其在高速开关操作中的有效性,使设备可以满足快速信号处理的需求。
更为重要的是,MC33152DR2G 的工作温度范围非常宽广,从 -40°C 到 150°C(TJ),这使其尤为适合在极端环境下的应用场景,如汽车电子、工控设备和其他要求高温稳定性的领域。这种耐温性不仅保证了产品的长期可靠性,还能够在环境变化较大的地方正常工作。
该驱动器采用 SOIC-8 表面贴装封装,其尺寸为 8 引脚,宽度为 3.90mm。这种紧凑的设计使得 MC33152DR2G 非常适合于空间有限的电路板上使用,同时支持自动化安装,有效提高了生产效率和产品的一致性。
由于其强大的性能及灵活的配置,MC33152DR2G 可以广泛应用于多种场景,包括但不限于:
MC33152DR2G 是一款兼具高性能和可靠性的逻辑驱动器,能够满足现代电子设备日益增长的需求。它的广泛应用潜力以及出色的硬件性能,使其成为设计者在选择驱动器时的理想选择。对于寻求提升系统性能和可靠性的工程师而言,MC33152DR2G 无疑是一个值得信赖的解决方案。