FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A(Ta),16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 51 毫欧 @ 4.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 905pF @ 75V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS86252 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用而设计。该元器件结合了优越的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子领域,包括电源转换、应急电源管理以及电机驱动等应用。
FDMS86252 采用 8-PQFN(5x6)封装设计,具有低重量和小体积的优点,适合表面贴装(SMD)应用。这种封装方式有效增加了散热能力,并提高了电路板的布线密度,尤其在空间受限的设计中极具优势。
FDMS86252 广泛应用于以下领域:
FDMS86252 N 通道 MOSFET 以其高额定电压、高电流能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,非常适合高性能电源管理及开关应用。其优秀的电气特性和便捷的封装设计,使其成为各类工业和消费电子设计中的理想选择,为用户提供了极高的性价比与可靠性。无论是在电源转换、汽车电子还是电机控制等领域,FDMS86252 都能够满足现代电子设计对高效、安全和可靠性的要求。