FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | UniFET-II™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 2.75A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 730pF @ 25V | 基本产品编号 | FDD7 |
FDD7N60NZTM手册
FDD7N60NZTM概述
产品概述：FDD7N60NZTM N通道 MOSFET
概述
FDD7N60NZTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于 UniFET-II™ 系列，专为高电压、大电流应用而设计。其优异的电气特性和广泛的工作温度范围使其适用于各种苛刻的电子设计要求。
主要参数
FDD7N60NZTM 在正面性能方面表现优秀。它的最大漏极电压（Vdss）达到600V，使其能够在高压应用中稳定工作。同时，连续漏极电流（Id）可达5.5A，确保能够支持多种负载情况。此外，它的最大功率耗散为90W，这使得该器件在高功率应用中具备良好的热管理能力。
导通电阻与驱动需求
在不同的工作条件下，FDD7N60NZTM 的导通电阻（Rds(on)）在2.75A和10V时最大为1.25Ω，这表明该 MOSFET 在导通状态下的能量损耗相对较低，这对于提升整体系统效率至关重要。为了有效驱动此 MOSFET，其最大栅源电压（Vgs）为±25V，驱动电压保持在10V时可以实现最优的导通特性。
栅源阈值电压
FDD7N60NZTM 的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V（在250µA电流条件下），为设计工程师提供了重要的信息，以判断何时可以有效开启和关闭该器件。这一特性使得它在多种控制电路中都能轻松集成。
电容和开关特性
该 MOSFET 的输入电容（Ciss）在25V时最大为730pF，这在高频应用中可能影响开关速度，但其最大栅极电荷（Qg）17nC @ 10V 的极低值确保了快速的开关响应，适合于 PWM 和其他快速开关的应用场合。
工作环境
FDD7N60NZTM 的工作温度范围从-55°C 到 150°C，总结来说，这一广泛的温度范围保证了该器件在恶劣环境中的可靠性，能够胜任航空航天、汽车电子和工业控制等诸多领域。
封装与安装
该 MOSFET 采用 D-Pak 封装（TO-252-3），这种表面贴装型设计非常适合现代电子产品的紧凑布局。D-Pak 封装结构坚固，能够实现良好的散热性能，非常适合高速开关和重负载应用。
应用领域
凭借其卓越的电气特性和良好的散热能力，FDD7N60NZTM 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在高效能电源设计中主要用于开展或禁用负载。
- 电动机驱动：适用于电动机控制器，可以实现高效驱动和保护功能。
- 无刷直流电机：在工业和家用电器中，MOSFET可以实现高效的电机控制。
- 电池管理系统：用于电池的充电和放电控制。
- 汽车应用：如蓄电池模块、充电系统等。
结论
综上所述，安森美的 FDD7N60NZTM N通道 MOSFET 是一款高效、多用途、高可靠性的元件，完美适用于各种高压与大电流的应用需求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，FDD7N60NZTM 都展现出了卓越的技术优势，能够帮助设计工程师实现高效、节能和可靠的电路设计。