IRFS7434TRL7PP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFS7434TRL7PP

商品编码: BM0093996845
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-7(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 245W 40V 240A 1个N沟道 D2PAK-7
库存 :
789(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
9.66
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.66
--
100+
¥8.19
--
800+
¥7.8
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFS7434TRL7PP参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)315nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10250pF @ 25V
功率耗散(最大值)245W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK-7
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

IRFS7434TRL7PP手册

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IRFS7434TRL7PP概述

IRFS7434TRL7PP 产品概述

一、产品基本信息

IRFS7434TRL7PP 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名品牌英飞凌(Infineon)制造。该器件特别适合用于高功率和高电流应用,拥有显著的热性能和导电能力。

二、技术参数

  • 最大漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 240A(工作条件:Tc)
  • 驱动电压(Vgs):
    • 最大 Rds On: 6V
    • 最小 Rds On: 10V
  • 最大导通电阻(Rds On): 1 毫欧 @ 100A,10V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值 3.9V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg): 最大值 315nC @ 10V
  • 最大栅源电压(Vgs max): ±20V
  • 输入电容(Ciss): 最大值 10250pF @ 25V
  • 功率耗散(Pdiss max): 245W(Tc)
  • 工作温度范围(TJ): -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: D2PAK-7,TO-263-7(6 引线 + 接片)

三、封装与安装

IRFS7434TRL7PP 采用 D2PAK-7 封装,具有良好的热管理能力和散热特性,适合表面贴装(SMD)设计。这种封装设计不仅减小了电路板面积,同时也提高了组装效率,特别是在高速自动化生产环境中。

四、应用场景

IRFS7434TRL7PP广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 由于其较高的电流和电压能力,适用于高效能的开关电源设计中,能够降低功耗和热损失。

  2. 电动汽车: 在电动汽车和混合动力汽车的逆变器和驱动电路中,MOSFET 作为功率开关,能够实现高效的能量转换。

  3. 电机驱动: 用于高性能电机驱动工程,如伺服电机和步进电机驱动的电力控制系统。

  4. 电池管理系统: 在电池管理系统中,IRFS7434TRL7PP可实现对电池充放电过程的高效控制,确保系统的安全和高效运行。

五、优势与特点

  • 高电流处理能力: 连续漏极电流高达240A,使其能够在各种高功率应用中表现优越。
  • 低导通电阻: 仅1毫欧的导通电阻减少了功耗,提升了系统的整体效率。
  • 优越的热管理: 245W的最大功率耗散能力使得在严苛环境下运行成为可能,同时保证器件的长寿命稳定性。
  • 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围,适应了多种工业和汽车应用的极端温度环境。
  • 易于集成: 采用D2PAK封装,简化了PCB设计,并且适合高密度布局。

综上所述,IRFS7434TRL7PP 是一款效率高、可靠性强的 N-channel MOSFET,适合各种高功率电路应用。无论是在工业、商业还是汽车电子领域,它都能够提供卓越的性能。选择 IRFS7434TRL7PP,意味着选择高效能和高可靠性的解决方案,助力产品实现更高的市场竞争力。