IRFH9310TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFH9310TRPBF

商品编码: BM0093996844
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PQFN(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) IRFH9310TRPBF QFN
库存 :
1614(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.15
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.15
--
100+
¥3.46
--
1000+
¥3.2
--
2000+
¥3.04
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFH9310TRPBF参数

制造商Infineon Technologies系列HEXFET®
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Ta),40A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.6 毫欧 @ 21A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 100µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装PQFN(5x6)封装/外壳8-PowerVDFN
漏源电压(Vdss)30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)58nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5250pF @ 15V

IRFH9310TRPBF手册

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IRFH9310TRPBF概述

IRFH9310TRPBF 产品概述

一、概述

IRFH9310TRPBF 是由知名半导体制造商Infineon Technologies(英飞凌)推出的一款高性能P通道MOSFET场效应管。作为HEXFET®系列的一员,该器件专为高效能和高可靠性的应用而设计,广泛适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和其他需要功率控制的电子电路中。

二、产品特性

  • 类型与技术:IRFH9310TRPBF 是一种P通道MOSFET,采用传统的金属氧化物半导体技术,具有出色的开关特性和导通性能。
  • 高电流能力:在25°C的环境温度下,该器件的连续漏极电流(Id)达到21A,而在更高的散热条件下(例如Tc),则可以达到40A,这使得它非常适合大功率应用。
  • 低导通电阻:该MOSFET在10V栅极驱动电压下,其最大导通电阻(Rds On)为4.6毫欧,确保了极低的功耗和高效率。同时,设备的Vgs(栅极-源极电压)最大值为±20V,允许灵活的电路设计。
  • 门限电压:对于不同的漏电流(Id),该器件的门限电压(Vgs(th))最大值为2.4V(@100µA),确保在较低的控制电压下便能够有效导通。
  • 功率管理:IRFH9310TRPBF的功率耗散能力达到3.1W(在环境温度下),使之能够在多种工作环境下稳定运行,带来更加可靠的电源管理能力。
  • 温度范围:具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,这些特性使得该元器件适合用于各种极端条件下的电子产品。

三、结构与封装

IRFH9310TRPBF采用PQFN(5x6)封装,该封装形式具备出色的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMD)应用。这种小型化的设计有助于减少PCB上的占用空间,提高集成度。此外,PQFN封装还能够有效降低散热问题,增强整体可靠性。

四、应用领域

IRFH9310TRPBF广泛应用于以下领域:

  • 电源管理系统:可用作开关电源、电池管理系统中的开关元件,有效提升工作效率。
  • DC-DC变换器:非常适合用于步升和步降DC-DC变换器中,满足不同电压要求的电源供给。
  • 负载开关:在各种负载开关应用中,提供可靠的开关性能,确保负载的正常运行。
  • 便携式设备:在消费电子、便携式电源和电动车辆中,利用其高效的能量管理功能,延长电池寿命。

五、总结

IRFH9310TRPBF以其优秀的电流承载能力、低导通电阻和高功率管理特性,成为当前市场上具备竞争力的P通道MOSFET之一。其热稳定性与宽温范围进一步增强了其在各种应用中的适用性,是设计工程师在电源管理和功率控制领域的理想选择。无论是在工业、消费电子、还是汽车电子领域,IRFH9310TRPBF都提供了可靠的性能输出,满足现代电子设计的高标准需求。