制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A(Ta),40A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.6 毫欧 @ 21A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 100µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
漏源电压(Vdss) | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 58nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5250pF @ 15V |
IRFH9310TRPBF 是由知名半导体制造商Infineon Technologies(英飞凌)推出的一款高性能P通道MOSFET场效应管。作为HEXFET®系列的一员,该器件专为高效能和高可靠性的应用而设计,广泛适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和其他需要功率控制的电子电路中。
IRFH9310TRPBF采用PQFN(5x6)封装,该封装形式具备出色的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMD)应用。这种小型化的设计有助于减少PCB上的占用空间,提高集成度。此外,PQFN封装还能够有效降低散热问题,增强整体可靠性。
IRFH9310TRPBF广泛应用于以下领域:
IRFH9310TRPBF以其优秀的电流承载能力、低导通电阻和高功率管理特性,成为当前市场上具备竞争力的P通道MOSFET之一。其热稳定性与宽温范围进一步增强了其在各种应用中的适用性,是设计工程师在电源管理和功率控制领域的理想选择。无论是在工业、消费电子、还是汽车电子领域,IRFH9310TRPBF都提供了可靠的性能输出,满足现代电子设计的高标准需求。