IRLB4132PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRLB4132PBF

商品编码: BM0093977184
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.861g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 30V 78A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
5268(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.28
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
50+
¥2.52
--
1000+
¥2.1
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLB4132PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)54nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5110pF @ 15V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRLB4132PBF手册

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IRLB4132PBF概述

产品概述:IRLB4132PBF N通道MOSFET

引言

IRLB4132PBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用设计。其具备优异的导电能力和低导通电阻,使其在各种电子设备中成为理想的选择。该元件由著名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产,符合电子行业的高标准,能够支持广泛的应用场景。

基本参数

IRLB4132PBF的主要参数包括:

  • 漏源电压(Vdss): 30V,适用于低至中等电压电路。
  • 连续漏极电流(Id): 高达78A(以接触温度Tc为基准),使该元件能够处理高电流负载,满足动力要求。
  • 导通电阻(Rds On): 在10V的栅极驱动电压下,连接40A电流时,导通电阻最大为3.5毫欧,这意味着在高负载下发热量极小,提高了效率。
  • 栅极源电压(Vgs): 最大为±20V,允许在一定范围内调整栅极电压,以实现稳定的工作状态。

功能特性

  1. 高效能设计: IRLB4132PBF的设计注重电流转导和热管理,确保在苛刻应用条件下可靠工作。较低的导通电阻减少了电能损失,提高了整体系统的效率。

  2. 宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到175°C,使其非常适合于极端环境条件下应用,如汽车电子和工业控制系统。

  3. 快速开关能力: IRLB4132PBF的栅极电荷(Qg)最大值为54nC(在4.5V时),这一特性使其具有较快的开关速度,适合于高频率的开关应用。

  4. 优秀的热性能: 最大功率耗散为140W,这显示了其良好的热管理能力,可以在高功率密度环境下持续运行而不失效,适合用于高效的电源转换器。

应用领域

IRLB4132PBF广泛应用于多种市场和场合,包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于DC-DC转换器和电源适配器。
  • 电动汽车: 在电动汽车的动力管理系统和电池管理系统中使用,以实现更高的能量效率。
  • 工业设备: 高效的电流开关,适合在各种工业自动化设备中使用。
  • 消费电子: 在需要高效率功率开关的消费电子产品中,能够优化电能使用。

总结

总的来说,IRLB4132PBF是一款性能卓越、设计优越的N通道MOSFET,拥有低导通电阻、输出高电流能力及宽工作温度范围,广泛适用于各种电源管理和开关应用。作为Infineon提供的高可靠性和高性能解决方案,该器件能够满足现代电子设备对于效率和稳定性的严苛要求,为用户提供最佳的电子设计选择。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,IRLB4132PBF都将是电源设计师和工程师的首选元件之一。