FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 78A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 54nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5110pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
产品概述:IRLB4132PBF N通道MOSFET
引言
IRLB4132PBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用设计。其具备优异的导电能力和低导通电阻,使其在各种电子设备中成为理想的选择。该元件由著名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产,符合电子行业的高标准,能够支持广泛的应用场景。
基本参数
IRLB4132PBF的主要参数包括:
功能特性
高效能设计: IRLB4132PBF的设计注重电流转导和热管理,确保在苛刻应用条件下可靠工作。较低的导通电阻减少了电能损失,提高了整体系统的效率。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到175°C,使其非常适合于极端环境条件下应用,如汽车电子和工业控制系统。
快速开关能力: IRLB4132PBF的栅极电荷(Qg)最大值为54nC(在4.5V时),这一特性使其具有较快的开关速度,适合于高频率的开关应用。
优秀的热性能: 最大功率耗散为140W,这显示了其良好的热管理能力,可以在高功率密度环境下持续运行而不失效,适合用于高效的电源转换器。
应用领域
IRLB4132PBF广泛应用于多种市场和场合,包括但不限于:
总结
总的来说,IRLB4132PBF是一款性能卓越、设计优越的N通道MOSFET,拥有低导通电阻、输出高电流能力及宽工作温度范围,广泛适用于各种电源管理和开关应用。作为Infineon提供的高可靠性和高性能解决方案,该器件能够满足现代电子设备对于效率和稳定性的严苛要求,为用户提供最佳的电子设计选择。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,IRLB4132PBF都将是电源设计师和工程师的首选元件之一。