注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NTF5P03T3G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-223-3
包装 :
-
重量 :
0.202g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.56W 30V 3.7A 1个P沟道 SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.01按整 :
-(1-有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.01
--
100+
￥4.17
--
1000+
￥3.85
--
2000+
￥3.67
--
4000+
￥3.5
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTF5P03T3G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTF5P |
NTF5P03T3G手册
无数据
NTF5P03T3G概述
NTF5P03T3G 产品概述
一、产品简介
NTF5P03T3G是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优异的性能和高效的功率管理能力。该器件特别适用于广泛的电子应用，如开关电源、马达驱动以及电源管理电路等，能够实现低功耗和高效能的电气表现。
二、技术参数
此MOSFET的关键参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：最大30V，使其适合处理中等电压水平的应用。
- 电流 - 连续漏极（Id）：最大可达3.7A（在25°C时），满足大部分中等功率应用的需求。
- 导通电阻（Rds On）：在10V的栅电压下，最大导通电阻为100毫欧。这一参数在驱动电流时提供了优秀的能效，减少了发热与功耗。
- 栅极-源极电压（Vgs）：最大可承受±20V，增强了电路设计的灵活性和安全性。
- 功率耗散（Pd）：最大1.56W，适合各种工作条件下的设备散热管理。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，保证在极端环境中也能稳定运行。
三、封装与安装方式
NTF5P03T3G采用SOT-223封装，这种表面贴装型（SMD）元件设计不仅节省了PCB空间，还简化了自动化生产过程。SOT-223-3的设计也使得热传导和散热性能得以提升，从而增强元件的可靠性。
四、性能特点
高效能开关能力：由于其低Rds On特性，NTF5P03T3G提供了高效率的开关操作，减少了功率损耗，使得电路在高频开关操作下依然能够保持良好的性能。
适应性广：该MOSFET可以在诸如电源管理、负载开关和电机控制等各种应用中使用，其广泛的工作温度和耐压范围增加了适用性。
快速响应时间：在不同的栅电压条件下，栅极电荷（Qg）最大为38nC（在10V时），这使得NTF5P03T3G能够在复杂的开关应用中迅速响应，适合高频操作的要求。
稳定性和可靠性：采用高质量的制造工艺，确保在极端条件下的可靠性。其工作温度范围和高功率耗散能力使其能够在严苛环境中维持稳定工作。
五、应用场景
NTF5P03T3G MOSFET广泛应用于很多电子及电气领域，具体包括：
- 开关电源：在DC-DC转换器中用于提升转换效率。
- 电机驱动：在驱动直流电机或步进电机的控制电路中，作为低侧开关。
- 负载开关：用于负载的自动连接与断开，提供高效的电源管理。
- 线性稳压器：在低压应用中提供稳定输出。
- 便携设备电源管理：尤其在电池供电的设备中，优化电能的使用效率。
六、总结
NTF5P03T3G MOSFET凭借其优良的电气参数、高效的开关性能和广泛的应用适应性，成为了现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在高频开关应用还是在功率管理领域，其表现都能够满足设计工程师的要求，确保系统的高效稳定运行。借助其可靠性和灵活性，该器件已成为消费者选择电子元器件时的理想选择之一。