SMMBT4401LT1G
SMMBT4401LT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SMMBT4401LT1G手册
SMMBT4401LT1G概述
SMMBT4401LT1G 产品概述
一、基本信息
SMMBT4401LT1G是一款优质的NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，其主要性能参数包括：最大集电极电流（Ic）为600mA，最大集射极击穿电压（Vce）为40V，最大功率为300mW，适合于低功率放大和开关应用。该元器件采用表面贴装型（SMD）封装，具体为SOT-23-3（TO-236），使其在现代紧凑型电子设备中尤为适用。
二、主要技术参数
晶体管类型：SMMBT4401LT1G为NPN型晶体管，适合用作开关和信号放大。
电流特性
- 最大集电极电流 (Ic)：600mA
- 不同基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，饱和压降（Vce(sat)）最大值为750mV（at 50mA），500mV（at 500mA）。这一特性保证了在工作时电路的高效性，减少了功率损耗。
电压特性
- 最大集射极击穿电压：40V，确保在高电压工作条件下的可靠性。
功率特性
- 最大功耗：300mW，适合在小型电路中工作而不易过热。
频率特性
- 跃迁频率：250MHz，这使得该晶体管在高频信号放大和开关应用中表现出色。
温度特性
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），适合在苛刻环境下工作，提供了广泛的适应性。
三、封装信息
SMMBT4401LT1G采用SOT-23-3（TO-236）封装，这是一个小型、轻便的表面贴装型封装，符合现代电子设备对于组件尺寸和重量的要求。其引脚布局方便在自动化生产线中进行装配，进一步降低了生产成本和难度。
四、应用场景
SMMBT4401LT1G适用于多种应用场景，尤其是在低功耗和小型化的电子产品中，包括但不限于：
信号放大器：由于其较高的DC电流增益（hFE最小值为100 @ 150mA），该晶体管能够在各种信号放大应用中，提供信号的有效放大。
开关电路：适合用于逻辑开关、继电器驱动以及LED驱动等应用，因为其快速的开关特性和低饱和压降能够有效提高电路效率。
** RF 电路**：在高频应用中，SMMBT4401LT1G的高跃迁频率（250MHz）使其具备优异的性能，适合用于射频放大器和调制解调器等设备。
便携设备：其小型封装有助于在空间受限的便携设备中（如智能手机、平板电脑）占用更少的空间。
五、总结
SMMBT4401LT1G是一款高性能的NPN晶体管，凭借其优异的电流、电压、功率和频率特性，使其成为各种电子电路的理想选择。其广泛的应用范围，从信号放大到开关控制，再到高频RF应用，都为现代电子设计提供了可靠的解决方案。得益于其紧凑的SOT-23-3封装，SMMBT4401LT1G在小型化设计中尤为重要，是诸多电子产品中不可或缺的元件之一。