注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NTGS4141NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TSOP-6
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 3.5A 1个N沟道 TSOP-6
库存 :
770(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.44按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.44
--
100+
￥1.14
--
750+
￥1.02
--
1500+
￥0.966
--
3000+
￥0.92
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTGS4141NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 560pF @ 24V |
| 基本产品编号 | NTGS41 |
NTGS4141NT1G手册
无数据
NTGS4141NT1G概述
NTGS4141NT1G 产品概述
一、基本信息
NTGS4141NT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。它采用表面贴装（SMD）结构，封装形式为TSOP-6，适合在紧凑的电路板上使用。这款 MOSFET 设计用于需要高效率、低导通电阻和高耐压性能的各种应用，特别适合驾驶负载和开关电源等场景。
二、技术参数
电流和电压
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下能够承受高达3.5A的电流，这使得其在较高负载下的表现稳定可靠。
- 漏源电压 (Vdss)：最大30V的工作电压，满足大部分常规电源管理和负载驱动的需求。
导通电阻与阈值电压
- 导通电阻 (Rds On)：在Vgs为10V和Id为7A时，最大导通电阻为25毫欧。这种低导通电阻显著减少了功耗，提高了整体系统的效率。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在250µA时，最大阈值电压为3V，确保该器件在4.5V至10V的驱动电压条件下快速开关。
工作温度范围
- 此款MOSFET能够在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内稳定工作，适应多种极端环境，适合航空航天、汽车和工业自动化等应用领域。
功率耗散
- 最大功率耗散为500mW（在Ta环境温度下），确保在高负载情况下正常运行而不发生过热。
电气特性
- 栅极电荷 (Qg)：在10V时最大栅极电荷为12nC，保证其在开关操作中具有较低的输入功耗。
- 输入电容 (Ciss)：在24V时最大输入电容为560pF，这对于高频应用具有良好的响应特性。
三、应用场景
NTGS4141NT1G适合于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源：作为开关元件，提升功率转换效率，降低能量损耗。
- 电机驱动：在电机控制电路中用于实现高效的电流开关。
- 电池管理系统：用于电池的充放电控制，确保电路的安全性和稳定性。
- 汽车电子：适用于车辆的各种控制模块，如自动驾驶、动力系统管理等。
- 工业控制：在自动化系统和PLC控制中，提供可靠的开关操作。
四、总结
作为一款高性能的N沟道MOSFET，NTGS4141NT1G在电流、导通电阻、和工作温度等方面表现卓越，适合各类需要高效开关和电源管理的应用。其优良的电气特性和宽广的工作温度范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。在选择适合的MOSFET时，NTGS4141NT1G无疑是一个值得信赖的选择。