注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NVR4501NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
-
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.68按整 :
卷(1卷有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.68
--
100+
￥1.3
--
750+
￥1.08
--
1500+
￥0.981
--
3000+
￥0.899
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NVR4501NT1G参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
NVR4501NT1G手册
无数据
NVR4501NT1G概述
产品概述：NVR4501NT1G N通道MOSFET
基本信息
NVR4501NT1G是一款高性能的N通道MOSFET，专为各种电子应用而设计。这款元器件采用SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，极其适合空间有限的电路设计。其主要参数具有较高的电流承载能力和低导通电阻，使得其在开关电源、功率管理和其他高频应用中广受欢迎。
关键参数
- 漏源电压（Vds）: NVR4501NT1G的额定漏源电压为20V，意味着它可以在此电压下稳定工作，适用于低压电源管理应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在温度为25°C时，该器件的连续漏极电流为3.2A，能够处理较高电流的负载。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V的栅极驱动电压下，导通电阻最大值为80毫欧，这使得它具备特优的导电性能，能够有效降低功耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为1.2V（@250μA），这意味着在较低的栅极电压下就能顺利开启FET，提升了整体的工作效率。
- 驱动电压: 该器件的最佳驱动电压为2.5V至4.5V，使其在低电压驱动条件下仍能表现出色。
- 输入电容（Ciss）: NVR4501NT1G在10V下的输入电容为200pF，这一特性对于高频信号切换特别重要。
热特性与功率管理
该MOSFET的功率耗散最大值为1.25W（Tj），具有良好的热稳定性，能够在极端工作环境下（-55°C至150°C）运行，适合于工业、汽车及军事应用中的苛刻条件。其卓越的热管理特性确保了器件在高负荷下不会过热，提升了系统的可靠性。
应用领域
NVR4501NT1G广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源: 可以用于 DC-DC 转换器，显著提高电源效率。
- 功率管理: 在智能设备中，作为开关元件控制更高功率组件的开启和关闭，降低总功耗。
- 高频应用: 由于其低导通电阻和低栅极电荷，该MOSFET适合用于高频电路设计，提供快速开关性能。
封装与便捷性
采用SOT-23-3封装的NVR4501NT1G在PCB上的占用面积小，易于表面贴装。这种紧凑型封装使得设计师能够在产品设计中节省空间，同时也简化了大规模生产的工艺。此外，封装结构也提高了焊接时的可靠性，适合高自动化的生产线。
结论
综上所述，NVR4501NT1G是一款出色的N通道MOSFET，凭借其低导通电阻、高承载电流、广泛的工作温度范围和优异的热管理性能，使得它在现代电子电路设计中成为一个不可或缺的选择。不论是在高频开关电源、功率管理、还是各种复杂的电子应用中，NVR4501NT1G均能够提供优良的解决方案，助力设计师实现更高效、可靠的电路设计。