NVGS5120PT1G
NVGS5120PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 111 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 600mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.1nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 942pF @ 30V |
| 基本产品编号 | NVGS51 |
NVGS5120PT1G手册
NVGS5120PT1G概述
NVGS5120PT1G 产品概述
基本信息
产品型号：NVGS5120PT1G
制造商：ON Semiconductor
包装形式：卷带（TR）
零件状态：有源
FET 类型：P 通道 MOSFET
封装类型：6-TSOP，SOT-23-6
结构与特性
NVGS5120PT1G 是一款高效的 P 通道 MOSFET，具有出色的导通性能和较低的功耗，适用于多种电子应用。其工作电压范围允许在高达 60V 的漏源电压下稳定运行，使得它非常适合用于高电压开关、负载驱动以及电源管理方案。
电气特性
漏极电流 (Id)
NVGS5120PT1G 在 25°C 的条件下，允许连续漏极电流最大达到 1.8A。这使得该器件具有良好的负载驱动能力，在高负载条件下保持良好性能。导通电阻 (Rds On)
该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下，有效导通电阻最大为 111 毫欧，在 2.9A 的电流流过下表现出优良的导电性，降低了功率损耗。这一特性使得 NVGS5120PT1G 在高效率电源和开关电路中成为理想选择。栅极阈值电压 (Vgs(th))
该器件在 250µA 的漏电流时，最大栅极阈值电压为 3V，保证了在较低电压驱动下的可靠开关性能，有助于实现更高的系统集成度。功率耗散
NVGS5120PT1G 的最大功率耗散为 600mW，适合在有限的散热条件下工作。在温度较高的环境中，选择合适的封装及布局可以有效提升系统的整体稳定性。
工作温度范围
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使得 NVGS5120PT1G 可以广泛应用于各种恶劣环境，如汽车电子、工业自动化设备及高温应用中。
栅极电荷与输入电容
NVGS5120PT1G 最大栅极电荷 (Qg) 为 18.1nC（在 10V 驱动电压下），输入电容 (Ciss) 最大为 942pF（在 30V 条件下）。这些参数表明，该 MOSFET 具有较高的开关速度和特性，对于需要快速响应的电路设计，提供了良好的兼容性。
应用场景
NVGS5120PT1G MOSFET 非常适合于以下应用：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器、电源开关中作为开关元件，提升系统效率和可靠性。
- 负载驱动：可用于驱动电机、继电器等负载设备，尤其是需要高电流和低导通电阻的应用。
- 汽车电子：由于其优秀的工作温度耐受能力，适用于高温环境中的汽车应用。
- 工业设备：在工业控制系统中，可以作为开关和负载驱动部分的关键元件。
总结
NVGS5120PT1G 通过其独特的电气特性和宽广的温度范围，成为现代电子设计中特别适合的选择。无论是用于家电、工业自动化还是汽车电子，该 MOSFET 都能为设计师提供优越的性能与稳定性。选择 NVGS5120PT1G，将增强电子产品的可靠性与效率，为您创造更具竞争力的创新解决方案。