NTR4170NT1G
NTR4170NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.76nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 432pF @ 15V |
| 基本产品编号 | NTR417 |
NTR4170NT1G手册
NTR4170NT1G概述
产品概述：NTR4170NT1G - N沟道MOSFET
一、产品概况
NTR4170NT1G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高效N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），旨在满足高性能电子应用的需求。该器件采用SOT-23-3封装，适合表面贴装，能够在有限的空间内实现可靠的电气连接。它的主要特性包括高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围，使其在各种电子设备中得到了广泛应用。
二、关键参数
最大漏源电压 (Vdss): 30V
NTR4170NT1G的漏源电压为30V，适用于多种电源管理和开关应用，能够处理高达30V的电压而不会发生击穿。连续漏极电流 (Id): 2.4A
该MOSFET在25°C环境温度下的连续漏极电流额定值为2.4A，意味着它可以在相对较高的负载条件下可靠工作，适合驱动小型电机、LED和其他负载。导通电阻 (Rds(on)): 55毫欧 @ 3.2A, 10V
在10V的栅极驱动下，NTR4170NT1G的最大导通电阻为55毫欧，这意味着在开关状态下能有效地降低导通损耗，提高能效。栅源电压阈值 (Vgs(th)): 最大1.4V @ 250µA
栅源电压的阈值为1.4V，使得MOSFET在较低电平下即能够导通，便于与低电压控制逻辑电平兼容。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
NTR4170NT1G的工作温度范围覆盖广泛，能够在恶劣环境中稳定工作，非常适合汽车电子、工业控制和消费电子等严苛应用。
三、应用领域
NTR4170NT1G的广泛适用性使其成为多种领域的理想选择，具体应用包括：
- 电源管理: 作为负载开关，能有效控制电源路径，达到节能目的。
- 电机驱动: 可用于小型电机的驱动电路，以实现快速开关和高效运行。
- LED驱动: 能够驱动LED灯具，提供亮度均匀、响应快速的照明效果。
- 消费电子: 在各种便携设备和家电中用以优化电源效率和热管理。
- 汽车电子: 由于其高温工作能力，适合在汽车的电控系统及车身控制中使用。
四、技术优势
高效能: 低导通电阻和高电流能力意味着该器件在开关状态下的热损耗较小，适合高频率开关应用，从而提升整体系统效率。
紧凑封装: SOT-23-3封装帮助节省PCB空间，适合小型化设计，便于在高密度电子设备中使用。
可靠性: 宽广的工作温度范围和高功率耗散能力提升了产品的可靠性，能适应各类苛刻的操作环境。
五、总结
综合而言，NTR4170NT1G是一款高性能的N沟道MOSFET，集成了低功耗、高效率和高可靠性等多个优势，适合于现代电子设备和系统的多种应用。其出色的电气特性和卓越的工作温度范围使其成为工业、消费电子及汽车电子等领域不可或缺的重要元器件。随着电子技术的不断发展，NTR4170NT1G将继续在高效能电源管理和控制系统中发挥至关重要的作用。