SCT2750NYTB
SCT2750NYTB参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 975 毫欧 @ 1.7A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 630µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 18V |
| Vgs（最大值） | +22V，-6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275pF @ 800V |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） | 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-268 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
SCT2750NYTB手册
SCT2750NYTB概述
SCT2750NYTB 产品概述
SCT2750NYTB 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能 N 通道硅碳化（SiC）场效应管（FET），其针对高压、高温和高效率应用而设计，广泛适用于电力电子和工业设备。该器件采用表面贴装型（SMT）封装，具体封装形式为 TO-268-3，适合于现代电子设备的紧凑安装需求。
关键参数
漏源电压（Vdss）: SCT2750NYTB 的漏源电压高达 1700V，能够满足高压应用的需求，这使得它在电源转换器、逆变器和其他需要高电压开关的电路中表现出色。
电流能力（Id）: 在 25°C 的条件下，该器件的连续漏极电流可达到 5.9A，确保在高负载条件下仍能稳定工作。该特性对于高频率开关应用尤为重要，可以有效提高系统的效率和可靠性。
导通电阻（Rds On）: 其最大导通电阻为 975 毫欧，在 18V 驱动电压下测得 1.7A 电流。这一参数直接影响到功率损耗，因此较低的 Rds On 有助于提高整体系统的能效，降低热量产生。
栅极电荷（Qg）: 在 18V 驱动电压下，栅极电荷 Qg 达到最大 17nC，这使得该 FET 在快速切换应用中表现良好，有效提升开关频率，适合于高效能的开关电源和变换器设计。
工作温度: SCT2750NYTB 的工作温度范围高达 175°C，适应高温环境的要求，对于工业应用尤其重要，确保长期稳定运行。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 57W（在 Tc 条件下），支持多种功率等级的应用，能够承受高功率工作环境，提高系统的稳定性。
输入电容（Ciss）: 在 800V 下，最大输入电容 Ciss 为 275pF。这一参数对于高速开关能力及高频性能至关重要，能够确保高效的驱动和快速的开关响应。
应用领域
由于 SCT2750NYTB 的高电压、高温特性及较低的导通电阻，该器件非常适合于如下应用领域：
- 电力电子设备: 在高压 DC/DC 变换器、AC/DC 电源转换器和逆变器中作为主开关器件使用。
- 新能源应用: 特别是在太阳能逆变器和风能发电系统中，该器件的高效率和高可靠性使其成为优选。
- 工业自动化: 可以应用于电机驱动、伺服控制等领域，提供高效能的解决方案。
- 电动汽车: 在电池管理系统和充电装置中，可以用于高效转换和控制电流。
总结
SCT2750NYTB 代表了 ROHM 在 SiC 领域的技术优势，其提供的高耐压、高温及高效率的特性，使其成为现代电力电子设备的理想选择。无论是在提升系统性能还是降低功率损耗方面，SCT2750NYTB 都展现出优异的表现，将极大地推动电子行业向更高性能、更高能效的方向发展。对于设计工程师而言，该器件不仅符合当今市场需求，还为未来的创新应用提供了强有力的支持。