Vgs(最大值) | ±20V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 4.5V |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17 毫欧 @ 9A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Ta) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2000pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
一、基本信息
IRF7469PBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能 N 通道 MOSFET,具有卓越的电气参数和适应性,特别适合于各种电子应用场景。该器件采用表面贴装封装(SO-8),集成了高效率的功率转换和开关功能,能够处理高达 9A 的连续漏极电流,漏源电压(V_dss)可达 40V。
二、主要特性
电气参数
功率和散热能力
温度范围
输入电容(Ciss): 当工作在 20V 下,最大输入电容为 2000pF,支持较高的工作频率。
阈值电压(Vgs(th)): 该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为 3V @ 250µA,确保在较低电压下也能有效开启。
三、应用领域
IRF7469PBF MOSFET 适用于多个领域,包含但不限于:
四、总结
IRF7469PBF 的设计极大地考虑到了现有市场中对高效能 MOSFET 的需求。在低导通电阻、高电流承受能力、大工作温度范围等一系列优势下,该 MOSFET 能够为用户提供高效率和优秀的热管理技术。无论应用是在低频率还是高频率环境下,IRF7469PBF 都显示出其卓越的性能,非常适合要求严格的电气环境和高能效的要求。通过将其集成到电路中,工程师可以为各类电子设备创造更好的性能和更高的可靠性。