IRF7469PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7469PBF

商品编码: BM0093181905
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-40V-9A(Ta)-2.5W(Ta)-8-SO
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.88
按整 :
圆盘(1圆盘有3800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.88
--
100+
¥3.23
--
950+
¥2.99
--
1900+
¥2.85
--
22800+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7469PBF参数

Vgs(最大值)±20V漏源电压(Vdss)40V
安装类型表面贴装型不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)23nC @ 4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 9A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Ta)不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2000pF @ 20V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA

IRF7469PBF手册

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IRF7469PBF概述

IRF7469PBF 产品概述

一、基本信息

IRF7469PBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能 N 通道 MOSFET,具有卓越的电气参数和适应性,特别适合于各种电子应用场景。该器件采用表面贴装封装(SO-8),集成了高效率的功率转换和开关功能,能够处理高达 9A 的连续漏极电流,漏源电压(V_dss)可达 40V。

二、主要特性

  1. 电气参数

    • 栅源电压(Vgs): IRF7469PBF 支持的最大栅源电压为 ±20V,适合多种控制电路的需求。
    • 漏源电压(V_dss): 最高可承受 40V 的漏源电压,具备良好的电压耐受能力,适用于中高电压应用。
    • 最大连续漏极电流(Id): 该器件在 25°C 环境下允许的连续漏极电流为 9A,提供了充足的驱动能力。
    • 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 23nC (@4.5V),使得该 MOSFET 能在较快的切换频率下进行有效工作。
  2. 功率和散热能力

    • 功率耗散(Pd): IRF7469PBF 具备可承受的最大功率耗散值为 2.5W(在 25°C 环境下),能在不同工作条件下提供较可靠的散热性能。
    • 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅源电压条件下,最大导通电阻可低至 17毫欧,极大地降低了导通损耗,提升了能效。
  3. 温度范围

    • 工作温度: IRF7469PBF 适合于 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,使其能够在各种苛刻环境下稳定工作。
  4. 输入电容(Ciss): 当工作在 20V 下,最大输入电容为 2000pF,支持较高的工作频率。

  5. 阈值电压(Vgs(th)): 该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为 3V @ 250µA,确保在较低电压下也能有效开启。

三、应用领域

IRF7469PBF MOSFET 适用于多个领域,包含但不限于:

  • 电源管理: 适合用于开关电源、直流-直流变换器、以及电池管理系统中。
  • 电机驱动: 能够在逆变器、电动机控制等应用中担当高效开关元件。
  • 负载开关: 在消费电子、自动化设备以及通信设备中,作为负载断路器进行应用。
  • LED 驱动: 通过高效的开关功能,支持智能照明设备的高效驱动方案。

四、总结

IRF7469PBF 的设计极大地考虑到了现有市场中对高效能 MOSFET 的需求。在低导通电阻、高电流承受能力、大工作温度范围等一系列优势下,该 MOSFET 能够为用户提供高效率和优秀的热管理技术。无论应用是在低频率还是高频率环境下,IRF7469PBF 都显示出其卓越的性能,非常适合要求严格的电气环境和高能效的要求。通过将其集成到电路中,工程师可以为各类电子设备创造更好的性能和更高的可靠性。