WNM01N10-3/TR
WNM01N10-3/TR参数
| 功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 14.2pF@25V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 255mΩ@4.5V,1.3A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.6nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 350pF | 连续漏极电流(Id) | 1.7A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
WNM01N10-3/TR手册
WNM01N10-3/TR概述
WNM01N10-3/TR 产品概述
产品简介
WNM01N10-3/TR是由中国知名半导体制造商WILLSEMI（韦尔）生产的一款高性能电子元器件，采用SOT-23封装。此款元器件被广泛应用于模拟信号处理及数字电路的设计中，适用于各种消费电子、工业控制和通讯设备。
封装与引脚排列
SOT-23是一种常见的表面贴装封装，它的体积小、重量轻，适合于现代电子设备的小型化设计。WNM01N10-3/TR的封装特性使其能够在有限的空间内提供可靠的性能，其引脚排列经过精心设计，便于快速、方便地完成电路板的焊接和组装。
主要特性
高效能与低功耗：WNM01N10-3/TR的设计侧重于提供高效的电流管理，同时保持较低的功耗。这使得其在电池供电的应用中尤为重要，能够延长设备的使用寿命。
广泛的工作温度范围：该产品具有优良的温度稳定性，能够在-40°C至85°C的环境下可靠工作，适合于各种外部环境条件。
较高的工作电压：WNM01N10-3/TR能够承受较高的工作电压，使其在高压应用场合中表现出色。
丰富的兼容性：该元器件具有较强的兼容性和通用性，适合与多种其他电子元器件共同使用，能够满足多样化的应用需求。
应用领域
WNM01N10-3/TR广泛应用于以下领域：
消费电子：由于其小巧的封装和低功耗特性，WNM01N10-3/TR被广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中。
自动化控制：在工业自动化设备中，WNM01N10-3/TR用于信号处理和控制电路，帮助实现高效的数据采集与处理。
通讯设备：在网络通讯、无线传输等设备中，该元器件起到了连接和信号调节的作用，是现代通讯系统的重要组成部分。
医疗设备：由于其可靠性和精度，WNM01N10-3/TR也被用于医疗器械中，例如血糖监测仪、心电图监测仪等，帮助实现准确的数据获取。
设计考虑
在设计使用WNM01N10-3/TR的电路时，需要考虑以下几点：
散热管理：虽然该元器件设计上高效能，但在高负载工作时，热管理仍需考虑，以确保长时间稳定运行。
电源滤波：在应用中建议配合适当的电源滤波元件，以保障其正常工作，避免由于电源噪声引发的性能下降。
电路兼容性测试：在更复杂的电路中，应进行充分的测试，以确保与其他元器件的兼容性。
结论
WNM01N10-3/TR是WILLSEMI（韦尔）推出的一款高品质电子元器件，凭借其出色的性能和多样的应用场景，已成为设计工程师的优选。在消费电子、工业自动化、通讯设备及医疗领域的应用中，WNM01N10-3/TR均展现出其卓越的可靠性与多功能性。