制造商 | WeEn Semiconductors | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
二极管类型 | 标准 | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 20A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V |
反向恢复时间 (trr) | 25ns | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.15V @ 20A |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30µA @ 200V | 基本产品编号 | BYV32-200 |
BYV32E-200,127 是由 WeEn Semiconductors 研发和制造的一款高效率快恢复二极管,采用 TO-220-3 封装,具有显著的性能特征。它的设计专门满足高功率和高频率应用的需求,广泛应用于电源转换、逆变器、充电器、以及各种需要进行快速整流的电子设备中。
二极管配置和类型: BYV32E-200,127 是一个由一对共阴极二极管构成的标准型二极管。该设计不仅提升了电路设计的灵活性,同时也优化了热管理和散热性能。
电流能力: 此二极管的平均整流电流为 20A,意味着在额定条件下,它可以持续承载 20A 的电流,这对电源电路和高功率应用来说至关重要。
反向电压特性: 该二极管的最大直流反向电压为 200V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适合于多种电压等级的电源系统。
快速恢复特性: BYV32E-200,127 的反向恢复时间(trr)为 25ns,这表明其具有快速恢复特性,能够有效降低开关损耗,提高整体效率。这一特点尤其适合于开关电源和高频逆变应用。
正向电压降: 在 20A 的条件下,其正向电压 (Vf) 为 1.15V,这对于高功率应用来说,能有效控制功率损耗,提升效率。
反向漏电流: 反向漏电流在 200V 时最大为 30µA,这一低水平的漏电流表明 BYV32E-200,127 在待机状态下具有良好的性能,确保系统的稳定性。
工作温度: 该二极管的结温范围最高可达 150°C,这意味着它能在相对严苛的环境条件下稳定工作,适合各种工业和商业应用。
BYV32E-200,127 的封装类型为 TO-220AB,采用通孔安装方式。TO-220 封装因其良好的散热性能,特别适用于高功率放大和整流电路。设计师在选择这个二极管时,可以凭借其适配的安装方式,方便与其它元器件的集成。
由以上各项参数可知,BYV32E-200,127 适合广泛的应用领域,如:
总之,BYV32E-200,127 是一款性能卓越且应用广泛的快恢复二极管,具有高电流处理能力、高反向电压、快速恢复特性和良好的热管理性能。凭借其规格和性能,BYV32E-200,127 可以在多种电子电路中发挥关键作用,特别适用于需要高效率和高度可靠性的应用场合。选择该二极管,能够为电子设备提供稳定、可靠的性能支持,助力设计师在高性能电源解决方案的追求中,开启全新的可能性。